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[参考译文] DRV8889-Q1:电机驱动器论坛

Guru**** 1139930 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8889-Q1, DRV8462
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1324641/drv8889-q1-motor-drivers-forum

器件型号:DRV8889-Q1
主题中讨论的其他器件: DRV8462

尊敬的 TI 专家:

我的客户使用自己的 PCB 测试 DRV8889-Q1。 电机运行时会发热。

我的客户说、热量来自60℃。 我想知道当 DRV8889工作时、该温度是合理的。

条件如下:

Vref:3V

质量保证 DAC:62.5%

电流:0.6A

步骤:1/16

这里有更多的问题;

1.电机未旋转时能否关闭1号 FET 并打开2号 FET?

2、 我只看到了数据表中第6.6节的 SPI 时序要求。 您是否有有关 SPI 时序的时序图?

3.我找到了一个有关失速阈值的寄存器。 (STALL_TH)

如果我设置该值、如果该值低于 STALL_TH、是否可以看到失速检测?

如果即使在轻负载条件下也希望看到失速检测、那么我应设置 STALL_TH 吗? (高 STALL_TH 或低 STALL_TH?)

此致、

蔡斯

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    尊敬的 Chase:

    谢谢您的支持。 使用的电源电压是多少? 对于0.6A IFS、在 Ta = 25°C 时、预计温度为60°C。 这主要是由于 PCB 布局造成的。 使用了器件的哪种封装。 QFN 封装的运行温度会比 HTSSOP 更高。  

    1. FET 由集成分度器驱动。 分度器表在数据表的第17页提供 、https://www.ti.com/lit/ds/symlink/drv8889-q1.pdf。在此器件中无法单独控制 FET。  

    2.参见 图7-32。 数据表第44页中的 SPI 事务。

    是的、该寄存器用于设置 STALL_TH。 还有另一个寄存器 TRQ_COUNT。 当 TRQ_COUNT < STAL_TH 时、将检测到失速。 STALL_TH 可通过使用 LEARN STALL 或手动输入来自动设置、通常是在目标 uSTEP 和空载或正常负载下运行电机的步进速率下<或= TRQ_COUNT 的50%。

    此致、Murugavel  

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    尊敬的 Murugavel:

    感谢您的支持。

    您能否检查我客户的布局? 我找不到任何问题。

    此致、

    蔡斯

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    尊敬的 Chase:

    我无法具体解释热通路布局的细节。 我假设它们遵循数据表中的建议。 我们的 EVM 布局也已发布在 EVM 网页上、供下载和参考。 以下是数据表中的建议值。 我们在顶层和底层使用2oz 铜、以实现更好的散热。

    假设布局没有问题、另一个需要注意的参数是压摆率设置。 默认值是最慢的。 慢速压摆率将产生最大开关损耗、并在电流调节斩波中导致更高的功率损耗。 客户可以尝试更快的压摆率、以最大程度地减少开关损耗并提高热性能。 更快的开关速度会影响 EMI 性能。 客户必须找到可提供极低开关损耗和所需 EMI 性能的合适 SR 设置。  

    此致、Murugavel

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    尊敬的 Murugavel:

    感谢您的支持。

    1.我将针对热问题与客户一起测试压摆率。

    2.我检查了 SPI 交易图表(数据表上的第44页),但没有任何数字。 很难匹配数字和图表(图形)

    您是否具有如下所示的 DRV8889-Q1时序图? (带数字的时间图像图)

    此致、

    蔡斯

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    尊敬的 Chase:  

    DRV8889-Q1支持各种 SPI 频率。 有关每个信号的最短时序、请参阅 DRV8889-Q1数据表第9页的表6.6。 您可以参阅 DRV8462中的该图、以了解各种参数的说明。  

    此致、  

    卡兰·多希