大家好、
我的客户在其项目中使用 DRV8718SQRVJRQ1驱动电磁阀 、并立即解决熔断问题、您能帮我回顾并给出一些评论吗？ 谢谢！
低侧驱动持续开启。 当高侧设置：PWM -0%、VDS_H1稳定且不消失；PWM -100%、VDS_H1不被触发；PWM -100%、VDS_H1在触发和未触发之间来回切换。
2. VDS 过流检测机制是在高侧开启和关闭时触发的。 当高侧关断时、VDS 的电压自然会超过警报阈值、并 会发生故障(理论上、 当高侧关断时不应触发过流)。
3、 基于上面的测试现象、当前芯片方案在 PWM 模式中似乎无法保护负载短路。 因为当 PWN 关闭时、可能会无意中触发过流故障。
此致、
常春藤
您好、Ivy。
原理图中存在电路问题。 请参见下方的。 对于 HB2 LS-FET 的 VDS 输入、SH2必须连接到 HB2 LS-FET 漏极。 两个100k 电阻器不是必需的-可以移除。
恒定电流模式配置看起来没有问题。 HB2 LS-FET 接通。 HB1 HS-FET、由二极管续流进行设置、由 IN1 (非 IN0)上的 PWM 输入控制。 当 PWM = 1时、螺线管通电、当 PWM = 0时、HB1 HS-FET 将关闭、再循环电流通过 HB1侧的无源续流二极管流动。 占空比将设置通过螺线管的平均驱动电流。
什么是"电流下降模式"？ 为什么 HB2在该模式下使 Hi-Z、HB2 LS-FET 关断？ HB1 HS-FET 仍 由二极管续流进行设置、并由 IN1上的 PWM 输入控制。 在此 电流下降模式期间、IN1上的 PWM 输入状态是什么？
我认为主要问题是缺少 SH2连接。 请修复电路并重试。
此致、Murugavel
您好！ 谢谢你的建议,我有一些进一步的问题。
如果上二极管被正电压损坏,那么它应该是 Vrm (42V ),而不是 Vrm (60V )。此外,无论 Vrm 或 VRRM 是什么,另外两个 MOSFET 只能承受40V(额定 Vds@),也许取决于时间或其他因素。
我设置的功率电压值也许是主要因素,你认为我设置的功率电压越高,电感产生的电压越高?
您好！ 我很抱歉再次打断你。 为什么我在3小时下班后会考虑这个问题？Haha。 您下班了吗？
今天、我测试了此电路。 让我吃惊的是、这个电路不是我想象中的受控方式、它只是一个普通的高侧受控半桥、与损坏的二极管完全无关。 这是我的错。 我的软件学院他们不遵循我们的建议,他妈的! 而只是将整个电路设置为用于紧急 EMC 测试的半桥。 整个工作流程如下所示。 
因此、无论电路是运行还是停止、二极管 D1都不涉及。
正如你所考虑的,燃烧的黄色凝胶旁边 Rshunt 是由 D1.Maybe 的缩短造成的。这可以解释为什么无用的 D1被打破。 这样、更应该假设 D1被外部部件短路、可能是 焊球短路。 双路 MOSFET 漏极之间的焊球导致 D1短路、然后是流过整个电路的大电流小于7A。
现在我只能用这种方式来仿真,哈哈。
此致香港
您好，香港
我在 美国的达拉斯总部工作。 我同意有时我们一直在思考问题、直到我们完全了解所发生的事情。
感谢您提供详细的驱动原理图。 DRV8718-Q1具有内部智能栅极驱动器、可直接查看 VGS 充电电压电平和时序、并执行握手以实现正确驱动。 我们建议不要使用您拥有的任何其他外部组件、我已标记为"X"。 我们的建议是连接 GH1和 GL2以直接连接到 FET 的栅极。 我还注意到 FET 上的 C900、C903和 C904,470nF 的容值相当大。 在加电时、会出现充电电流尖峰、具体取决于电源阻抗、可能会使二极管承受过大的应力。
除了上述所有功能外、我们建议您考虑以下顺序。
1) 1)为电磁阀线圈通电：首先打开 M2、M1关闭。 然后向 M1施加 PWM、以激活螺线管。
2) 2)如果 M1具有 PWM 控制、则在 PWM 关闭期间、使 M2始终保持打开。 这将允许再循环电流流经 D2和导通 M2。 这会更快地衰减、因为感应电能会放电至 D2 ~ 0.3V 的正向电压。 如果您关闭 M2、放电电平将仅保持在 KL30_V - 2* VF 或 KL30_V - 0.6V 之前。
3)关闭电磁阀时同样适用。 首先关闭 M1。 等待几毫秒、以便线圈中的所有能量通过 M2和 D2耗散。 如果你想要关闭 M2、你可以在这段时间后执行。 也可以始终保持 M2开启。
我希望这对您有所帮助。 谢谢。
此致、Murugavel
