[参考译文] DRV3946-Q1：DRV3946QPWPRQ1的 SPICE 模型

您好！

感谢您的提问。 我们的专家将在下周早些时候审查您的问题和反馈。

此致

森田真也

Michael、您好！

Rdson 最大值在数据表中作为行项提供

由于该器件的复杂性、我们未计划在该特定器件中使用 SPICE 模型。 您要在这个设计中寻找任何特定功能吗？

谢谢。

伊比努

请参阅高侧开关的数据表。

例如 TPS1HC30-Q1、第10页

图6-1. 瞬态热阻抗

图6-6. R DSON 与温度间的关系

由于电机驱动器还具有高侧和低侧开关、因此我也希望在这里看到它。

我还想了解输出级的功能。

目前不需要电流调节。

目前不需要诊断。

不用于 SPI 接口(可编程参数可实现为 spice .param)。

我目前需要：

1.钳位：无源 LS 钳位、 有源 HS 钳位、 有源 LS 钳位

2.模式：待机、 充电、 再循环、 HS QTO、 LS QTO

3.所有 MOSFET 的 Ron 取决于温度

4.有反馈到 Ron 的热模型

5.过热保护(切换或自动重启)

6.欠压和过压行为

外部高侧供电 PVDD 关闭时会发生什么情况？

欠压？

QTO 电路是否仍能按预期工作？

如果不能、则需要使用外部快速关断电路？

嗨、Michael：

您是否有权访问完整的器件数据表？  我认为其中的一些条目可以在数据表中找到、其中内容非常广泛。

此致！

雅各布

我有一份 2023年12月的完整数据表。

是的,它是非常广泛,但也非常 稀疏。 这可能是我的问题。

我见7.3.2.1。

我了解到、如果 PVDD 丢失、只要 VDD 正常、QTO 就会正常工作。 是这样吗？

仅当 VDD 和 PVDD 同时丢失时、QTO 才会失效。 对吧？

我的负载是2个高压接触器、在任何情况下、在没有 QTO 的情况下不得关闭(HV 触点可能会损坏)。

如果 VDD 电源发生故障、则到外部高侧开关的控制信号(来自 MCU)将消失(然后 PVDD 将丢失)、并且 VDD 也将消失。

这取决于确切的时序和电容。

是否可以通过外部电路将其作为回退 QTO 来使其更加安全？

Michael、您好！

有关 PVDD 关闭时钳位如何工作的机制、请参阅数据表中的电源建议部分。

第8.2.3节中的 PVDD 电容值估算也需要进行计算、以及在这种情况下、添加二极管如何提供帮助。 请告诉我、这是否澄清了 QTO 问题。

承包商的电线位于线束中。 我们必须能够承受线束中对地短路(和对电池短路)。

情况是：当我们在 OUT1/2上发生接地短路时会发生什么情况？

DRV3946-Q1在此处无能为力、它的低侧开关被短路了。

我们必须使用高侧开关(TPS1HC30-Q1)中断通过接触器的电流。

现在、PVDD 上的电压将变为负值(低于接地值)、直到高侧开关的无源钳位将其限制。

电流流经整个车辆、通过地面流向电池轨、然后返回承包商。 这种接缝不是一个好主意。

此外、DRV3946-Q1的数据表指出、只允许-0.3V 的电压、并且：

"当使用外部二极管进行保护时、可支持最长10ms 的负瞬态、以将 PVDD 引脚电流限制在1A 以下"

我想该二极管是图8-1中所示的"可选"二极管。

如果使用它、在这种情况下它将作为续流二极管工作、我们不会快速关闭、并且承包商的触点会有焊接风险。

有什么我误解的地方吗? 你有什么建议也得到 QTO 这种情况?

Michael、您好！

数据表中的可选二极管主要用于 HS 开关在负载通电的情况下断开。 在此期间、钳位将被激活、二极管将获取电流、此处是该情况的工作原理图、您可以看到、一旦 PVDD 达到 UV 条件、OUT 节点将进入钳位状态

就 OUT 接地短路而言、电流路径必须通过外部二极管、但会有一些电流流过 PVDD。

您能否告诉我在上述情况下可能会出现哪种类型的短路、了解 OUT 节点的短路电阻和电感范围以便准确分析系统条件会很好。

谢谢。

伊比努

最坏的情况是 OUT 到 GND 短路为0欧姆。 短路的电感可能由接线引起、未知。 让我们假设它为100nH。 对于承包商、我收到了一些数据、但这些数据尚待验证。 但我得到的是：

线圈电阻：最大8欧姆
线圈电感：最大15mH @10kHz
保持电流：最大值为0.7A
拾取电流：最大 1.7A
调节模式：内部电流调节

我不太明白您的意思："在此期间、钳位将被激活..."、"...输出节点将进入钳位..."。

您是指什么钳位？

PVDD 不得变为负值、这是真的吗？

这表示最大值。 为-0.3V：

但这表示它的-2V：

当 OUT 短接至 GND 时、QTO 是否需要半桥：

当 OUT 短接至 GND 时、这是否仍然有效？

我们有从 PVDD 到 GND 的100nF||10uF MLCC，以及从高侧开关到 GND 的 VBB 到100nF||220nF||2.2uF|2.2uF MLCC。 高侧开关的反极性保护二极管之前有更多电容器、100nF||1uF|4.7uF。 所有这些都是 MLCC。

这不是我们的情况、根据以下几点、钳位功能会丧失：

Michael、您好！

上述图在 PVDD 下降(非接地短路)时具有正常运行模式。 在 PVDD_UV 条件下、输出为经过 QTO 的 Hi-Z。

但是、对于 GND 短路情况则不是这样、因为在检测到 HS OCP 时将不执行 QTO (如状态图中所示)

此外、-2V 电压只允许使用10ms、而-0.3V 电压可作为直流电进行更长时间。

谢谢。

伊比努

因此、在这种情况下、驱动器输出级中没有钳位操作。

由于 PVDD 上不允许负电压低于-0.3V (使用15mH 和我们的低电容将需要远超过10ms 的时间使线圈断电)、因此必须使用"可选"二极管(仅电容将非常大)。 是这样吗？

因此、在这种情况下、内部或外部都无法快速关断？

导致要求-0.3V 的原因是什么？ 是否有内部(zhner)？ 从 GND 到 PVDD？