大家好、团队
我们需要知道 VVM=24V±8V 条件下 IDRIVE 的最小值。
不过、数据表显示了5.5≤VVM≤60V 条件下的 IDRIVE 电流的当前值。
我们认为最小值和典型值的原因。 IDRIVE 电流的值相差甚远、那就是 VVM 范围很宽。
我们的想法是否正确?
如果正确、您可以分享公式或测量数据(如果有)、以便我们可以知道 VVM=24V +/- 8V 时 IDRIVE 最小值。 如果不同、您能告诉我这些因素吗?
此致
学
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大家好、团队
我们需要知道 VVM=24V±8V 条件下 IDRIVE 的最小值。
不过、数据表显示了5.5≤VVM≤60V 条件下的 IDRIVE 电流的当前值。
我们认为最小值和典型值的原因。 IDRIVE 电流的值相差甚远、那就是 VVM 范围很宽。
我们的想法是否正确?
如果正确、您可以分享公式或测量数据(如果有)、以便我们可以知道 VVM=24V +/- 8V 时 IDRIVE 最小值。 如果不同、您能告诉我这些因素吗?
此致
学
嗨、Manabu-San、
我们在数据表中提到的 Idrive 变化主要依赖于我们考虑的温度范围以及工艺变化/电源电压。 这种变化是正常的、当我们考虑较大的温差时、也可以在外部 FET 上看到、这就是我们使用数据表中的值时得到的结果。 通常、温度越高、Rdson 就越高、因此栅极电流越低、反之亦然
Idrive 会影响将 FET 压摆至开/关所需的时间 {Tsource/sink = QGD/(Isource/sink)}。
如果您知道计划使用的外部 MOSFET、则可以查看最小/最大 QGD 和我们的 Idrive 容差、以预测最小/最大导通时间、并以此作为近似指南。
我们建议在您的预期温度范围、电源电压和工作条件下测试器件、以便更好地预测 您可能在系统中预期的实际导通/关断时间。
此致!
阿克沙伊
您好 Akshay-San
我想我理解了 Akshay-san 的回答。
在您的回答中、"通常温度越高、Rdson 就越大、因此栅极电流越低、反之亦然"
您的答案中的"RDon"是指用于 DRV8343内 GateDrive 的 FET、对吗?
可能是图19中的 P-FET 和 N-FET。

如果我的理解正确、我知道数据表中 IDRIVEP/IDRIVEN 特性的温度范围不是25℃。