This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] DRV8343-Q1:DRAIVE 电流的最小值

Guru**** 2455360 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1345269/drv8343-q1-min-value-of-the-idraive-current

器件型号:DRV8343-Q1

大家好、团队

我们需要知道 VVM=24V±8V 条件下 IDRIVE 的最小值。
不过、数据表显示了5.5≤VVM≤60V 条件下的 IDRIVE 电流的当前值。

我们认为最小值和典型值的原因。 IDRIVE 电流的值相差甚远、那就是 VVM 范围很宽。
我们的想法是否正确?
如果正确、您可以分享公式或测量数据(如果有)、以便我们可以知道 VVM=24V +/- 8V 时 IDRIVE 最小值。 如果不同、您能告诉我这些因素吗?

此致

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨、Manabu-San、

    我们在数据表中提到的 Idrive 变化主要依赖于我们考虑的温度范围以及工艺变化/电源电压。 这种变化是正常的、当我们考虑较大的温差时、也可以在外部 FET 上看到、这就是我们使用数据表中的值时得到的结果。 通常、温度越高、Rdson 就越高、因此栅极电流越低、反之亦然

     

    Idrive 会影响将 FET 压摆至开/关所需的时间 {Tsource/sink = QGD/(Isource/sink)}。

    如果您知道计划使用的外部 MOSFET、则可以查看最小/最大 QGD 和我们的 Idrive 容差、以预测最小/最大导通时间、并以此作为近似指南。

    我们建议在您的预期温度范围、电源电压和工作条件下测试器件、以便更好地预测 您可能在系统中预期的实际导通/关断时间。

    此致!

    阿克沙伊

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Akshay-San

    感谢您的回答!

    在您的回答中、IDRIVE 的变化主要取决于工艺变化/电源电压/温度范围。
    数据表"电气特性"部分中 IDRIVEP/IDRIVEN 特性值的温度范围是多少?
    TA =-40至125、正确吗?

    此致

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Akshay-San

    我想我理解了 Akshay-san 的回答。
    在您的回答中、"通常温度越高、Rdson 就越大、因此栅极电流越低、反之亦然"

    您的答案中的"RDon"是指用于 DRV8343内 GateDrive 的 FET、对吗?

    可能是图19中的 P-FET 和 N-FET。


    如果我的理解正确、我知道数据表中 IDRIVEP/IDRIVEN 特性的温度范围不是25℃。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨、Manabu-San、

    可以。 超过-40至125C 额定温度。

    此致!
    阿克沙伊

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨、Manabu-San、

    是的、我所指的是在驱动器额定温度范围内驱动器内部的前置驱动器 FET。

    此致!
    阿克沙伊