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器件型号：DRV8213 您好！
请参阅随附的文件、当 DRV8213启动时、为什么 nFault 引脚的下拉电阻约为126us？
e2e.ti.com/.../DRV8213RTER_5F00_nFault_5F00_issue.docx
nFault 引脚已为 VM_3.3V 添加了一个10k Ω 的上拉电阻。
您好！
请参阅随附的文件、当 DRV8213启动时、为什么 nFault 引脚的下拉电阻约为126us？
e2e.ti.com/.../DRV8213RTER_5F00_nFault_5F00_issue.docx
nFault 引脚已为 VM_3.3V 添加了一个10k Ω 的上拉电阻。
您好、Henry。
我能够在 EVM 上重新创建这个、我还得到了125us、nFAULT 在 IN1变为高电平后大约2.48us 变为低电平。
请给我留出一天时间与我们的其他团队就这件事进行核实、因为这是一款新器件。
此致！
雅各布
您好、Henry。
我收到了设计团队的反馈：
我们在上电期间下拉 nFAULT、直到器件处于运行状态并启用输出。 这表明设备已完成校准并已准备好驱动。
由于这是一个自动睡眠器件、它会随 INx 加电、您应该会看到 OUTx 切换或 IPROPI 在 NFAULT 释放后累积。
然后、我通过探测 OUT1向 EVM 确认了这一点、并发现它在该 nFAULT 低脉冲结束时导通。 125us 在 tWAKE (<250us)的规范时间范围内
我不确定数据表中为什么不清楚、我会进行研究。
此致！
雅各布