大家好、团队
1)
您能否检查一下我的 IVCP 是否已计算？
关于 MOSFET
MOSFET Qg = 30nC
fPWM = 1000Hz
项目数=5
在公式"Trapezoidal 120°C mutation"中：
IVCP = 30nC× 1000Hz× 5 = 0.15mA
您能否告诉我计算方法是否错误？
2)
如果计算正确、IVCP 的电流10 mA 消耗大于0.15 mA (IVCP > 0.15 mA)、是否可能消耗 IVCP=IVCP？
我想理解公式 IVCP 大于 Qg×PWM 的含义。
3)
另外、数据表还指出"IVCP 是电荷泵容量、这取决于 VM 引脚电压"。
公式中没有 VM 端子电压参数。
VM 端子电压如何增大或减小 IVCP？
此致
学
尊敬的 Ishida-San：
1)
您能否检查一下我的 IVCP 是否已计算？
关于 MOSFET
MOSFET Qg = 30nC
fPWM = 1000Hz
项目数=5
在公式"Trapezoidal 120°C mutation"中：
IVCP = 30nC× 1000Hz× 5 = 0.15mA您能否告诉我计算方法是否错误？
[/报价]计算结果正确。 这里要检查的一点是、您要开关多少个高侧 FET？ 这是数据表中提到的"乘法器"。 在计算中、高侧 FET 的数量为5。
[/quote]2)
如果计算正确、IVCP 的电流10 mA 消耗大于0.15 mA (IVCP > 0.15 mA)、是否可能消耗 IVCP=IVCP？
我想理解公式 IVCP 大于 Qg×PWM 的含义。
3)另外、数据表还指出"IVCP 是电荷泵容量、这取决于 VM 引脚电压"。
公式中没有 VM 端子电压参数。
[/报价]
VM 端子电压如何增大或减小 IVCP？
只要您的 Ivcp 低于25mA 建议的运行条件(上图)、此操作将使您能够正确开关 FET。 VM 和 IVCP 之间的关系如下所示、随着 VM 增加 IVCP 增加 、反之亦然。
此致！
莎拉
