您好、团队成员:
让我就一些寄存器设置提出几个技术问题。
① IDRIVE_xx = 0100b = 15 mA、是否可以设置 TDRIVE_MAX = 20 μ s?
2.如果 DIS_GDF = 1b (禁用)、DRV8343S 面临哪些风险?
(例如、当外部 FET 的 G-S 之间发生短路时、栅极电流过大、DRV8343S 发生故障。)
3.当 DIS_GDF = 1b (无效)时、确认 nFAULT 没有通知并且操作停止时、Fault Status 和 DIAG 状态的诊断位是否置位正确?
4.即使设置了 DIS_GDF = 1b (禁用)、是否存在 nFAULT 通知或操作停止的情况?
提前感谢。
