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团队、您好!
在 图2-1 c 应用手册"电流再循环和衰减模式"(slva321a)的说明假设 N MOSFET 晶体管 AL 和 BH 在所谓的快速衰减模式下以反向模式(源极到漏极方向)导通。 我在测试中使用了 DRV8714H-Q1EVM 和直流电机。 在 CSD18512Q5B 外部晶体管数据表中、唯一引用反向导通的是图9 (典型二极管正向电压)。 没有其他基准校正反向导通。
我的问题是:
- N 个 MOSFET (增强型)是否可以从源极到漏极反向导通? 如果是、为什么反向导通不会详细介绍数据表中针对直接导通的特性?
- 为什么支持双向电流流动的电源开关采用两个背靠背连接的 MOSFET 晶体管(请参阅 TI 提供的 slva948.pdf)?当使用具有两种导通类型的单个晶体管解决该问题时?
- 我使用 DRV8714H-Q1EVM 和 DRV87xx EVM GUI 测试了直流有刷电机。 快速衰减模式(晶体管 AL 和 BH)不会在 PH/EN 或 PWM 模式下编程。 衰减电流会跟随与无源或有源续流模式对应的下再循环路径或上再循环路径之一。 我已经连接了用于同步低侧衰减(正向)的示波器图。 实际上、在再循环中激活的晶体管 Q8在大约11V 的电压 VGL1下运行。 但是、使用电流探头测量的电流在禁用 GL1时不会改变形式或值。 这一事实仅展示了续流二极管的导通。 如何解释这一事实?

谢谢!
此致、
拉杜



