This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] DRV8714H-Q1EVM:快速衰减、反向 MOSFET 导通

Guru**** 2454880 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8714H-Q1EVM, CSD18512Q5B

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1342160/drv8714h-q1evm-fast-decay-reverse-mosfet-conduction

器件型号:DRV8714H-Q1EVM
主题中讨论的其他器件: CSD18512Q5B

团队、您好!

图2-1 c 应用手册"电流再循环和衰减模式"(slva321a)的说明假设 N MOSFET 晶体管 AL 和 BH 在所谓的快速衰减模式下以反向模式(源极到漏极方向)导通。 我在测试中使用了 DRV8714H-Q1EVM 和直流电机。 在 CSD18512Q5B 外部晶体管数据表中、唯一引用反向导通的是图9 (典型二极管正向电压)。 没有其他基准校正反向导通。

我的问题是:

  1. N 个 MOSFET (增强型)是否可以从源极到漏极反向导通? 如果是、为什么反向导通不会详细介绍数据表中针对直接导通的特性?
  2. 为什么支持双向电流流动的电源开关采用两个背靠背连接的 MOSFET 晶体管(请参阅 TI 提供的 slva948.pdf)?当使用具有两种导通类型的单个晶体管解决该问题时?
  3. 我使用 DRV8714H-Q1EVM 和 DRV87xx EVM GUI 测试了直流有刷电机。 快速衰减模式(晶体管 AL 和 BH)不会在 PH/EN 或 PWM 模式下编程。 衰减电流会跟随与无源或有源续流模式对应的下再循环路径或上再循环路径之一。 我已经连接了用于同步低侧衰减(正向)的示波器图。 实际上、在再循环中激活的晶体管 Q8在大约11V 的电压 VGL1下运行。 但是、使用电流探头测量的电流在禁用 GL1时不会改变形式或值。 这一事实仅展示了续流二极管的导通。 如何解释这一事实?

谢谢!

此致、

拉杜

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Radu:

    请给我24小时的时间来了解这件事、然后给您回复。

    此致!

    凯尔蒂

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Radu:  

    1) 1)只要栅极上的电压大于源极上的电压、N 通道器件中的源极到漏极或漏极到源极之间就会发生导通。 只是为了澄清一下、您问为什么三者不是从源极流向漏极的电流规格。

    2) 2)是、单个 N 通道可以是 BPS:

    应用手册中提到的背对背配置可实现对称的关闭状态阻断。 我将与其他团队成员就其他权衡因素进行核实。

    3) 3)示波器捕获上的时间标度是多少? 您是否知道电机的电感和所使用 FET 的 RDSON?

    此致!

    凯尔蒂  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    HELO Keerthi,
    我重复发送的上一条消息、可能是由于所附图片的尺寸过大、我收到了错误消息"Delivery Incomplete (交付未完成)"
    首先, 借口我迟到的答复,但我离开了国家在伊拉斯谟计划。
    事实上、只有当身体和源极没有连接时、才可能在两个方向上导电。 请记住 MOS 器件的栅极通过绝缘层连接到源极、通道和漏极,而基板通过半导体耗损层连接到源极、通道和漏极。 这两种类型的链路对于跨边界的电压具有不同的行为。 本质上、栅极充当 MOS 栅极端子、而基板则充当 NPN 基极。 当连接源极和体时、这种双传导是不可能或相当不可行的。
    MOSFET 是 TI CSD18512Q5B、我在测试中使用的电路板是 DRV8714。
    电气图 (随附文件)中注明了来自示波器的信号慢速衰减。 在测试中、我使用了连接在 H 桥中的喷油器和高压喷射泵(因此仅限电磁阀)。 无论编程模式是 PH/EN 还是 PWM、slva321a 中的图2-1c 所示的快速衰减电路都是正向或反向的。 PDF 未激活、也无法编程。 仅在从线圈中分散能量的过程中使用慢速衰减电路、其中涉及低侧或高侧的晶体管、如两个电气图中所示。 反向导通应通过蓝色晶体管发生、但实际上、电流仅流过体二极管。 通过激活或停用该晶体管的栅极 VGL1、流经螺线管线圈的电流(蓝色 CH2信号)不会发生任何变化、这表示仅通过二极管导通。
    此外、该源极接地、因此可提供0V 电压。 根据您所说的内容、漏极上应该有一个负电压、即 OUT1端子上。 但在任何测试中、负电压都不会出现在示波器上。
    最后、在上述晶体管的数据表(https://www.ti.com/product/CSD18532Q5B)中、反向循环(源漏)的唯一特性是内置二极管的特性。
    谢谢!
    此致、
    拉杜
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Radu:

    感谢您的答复。 请给我24小时的时间来研究这件事、并回复给您。

    此致!

    凯尔蒂

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Keerthi:

    TI 制造了公认的 MOSFET 晶体管、因此他们也有专业人士来解答我的问题。 这也是 我的意图,希望有一个合格的意见。 嗯,一个多月已经过去了,我仍然没有得到一个明确和合理的答案。 等待中有什么意义吗?

    谢谢!

    拉杜

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Radu:

    很抱歉响应出现延迟。 我将在最后重新创建相同的设置、并在明天对您进行更新。  

    此致!

    凯尔蒂

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Radu:

    您是正确的、在某一点后、二极管是传导电流的二极管。 如果观察如下的等效模型、可以看到、一旦流经通道的电流达到该值 Vf / Rdson、寄生体二极管将开始导通、该点之后电流的任何增加都将流过体二极管 (通过通道的电流将保持固定:

    此致!

    凯尔蒂

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Keerthi:

    谢谢你的答复,我认为问题解决了。 此案例可以关闭。
    祝你一切顺利!

    拉杜