大家好、团队
我想了解按温度分类的 IDRIVE。
您能否分享 以下图7-8.data 的 DRV8343 Q1版本?
DRV871x-Q1
www.ti.com/.../drv8714-q1.pdf
图7-8. 高侧栅极驱动器拉电流
如果可能、还请告诉我 VM = 13V 时每个图的值。
此致
学
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
大家好、团队
我想了解按温度分类的 IDRIVE。
您能否分享 以下图7-8.data 的 DRV8343 Q1版本?
DRV871x-Q1
www.ti.com/.../drv8714-q1.pdf
图7-8. 高侧栅极驱动器拉电流
如果可能、还请告诉我 VM = 13V 时每个图的值。
此致
学
您好、Manabu:
感谢您对此延迟回复的耐心等待。
就 IDRIVE 表征而言、最重要的相关性将与 温度 :
较高的温度(125C)将导致较低的 IDRIVE 值、而较低的温度将导致 IDRIVE 值增大。 这是由于 器件内部的智能栅极驱动架构导致的、其中 MOSFET 控制电流通道( 如此处的文档中所述)、而相应的 Rdson 会受到温度的影响。
对于 DRV8343-Q1、在您的特定系统中表征 IDRIVE 的理想方法是在最坏温度(最热或最冷)和标准用例(正常温度)下观察器件 IDRIVE 然后、从这些情况下、确定哪个 IDRIVE 设置为您的应用提供所需的最低 MOSFET 开关速度。

观察到的最大值和最小值不应超过数据表中定义的限值、尽管该范围很宽、但在实践中、系统表征可实现更具体的评估和控制。
我希望此信息对您有所帮助、并再次对延误深表歉意。
此致、
-约书亚