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[参考译文] DRV8353:高侧和低侧 MOSFET 上的驱动电压上升沿完全不同

Guru**** 2451970 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8353

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1356164/drv8353-drive-voltage-rising-edge-quite-different-on-high-side-and-low-side-mosfet

器件型号:DRV8353

您好!

我正在使用 DRV8353通过 DRV8353上的一个桥臂保持开路来驱动2个半桥。 当我将 LS 和 HS MOSFET 上的灌电流和拉电流设置相同时、高侧 MOSFET 的上升沿看起来比低侧更慢。 现在、 对于高侧 MOSFET、灌电流为2000mA、拉电流为850mA;对于低侧 MOSFET、灌电流为1400 mA、拉电流为300mA。 栅极电阻为0欧姆。 但相反、高侧上升沿仍然更慢、在低侧 GS 上、我可以看到清晰的米勒平坦区、但在 GS 侧除了平滑上升外没有其他东西。 为什么会出现此行为、还可以做些什么来进行优化? 提前感谢。

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    您好!  

    感谢您的提问并在我们的论坛中发帖!  

    请允许我查看这一提供的信息、并在本周就您的问题进行跟进。

    此致、  

    -约书亚

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    你好、Joshua、

    我还在等待答复。 然而,我已经发现为什么有时 清除米勒平台 出现,有时消失. 但高侧和低侧 MOSFET 上的不同上升时间仍然让我感到困惑。 期待反馈。

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    你好、wz、很抱歉、响应出现延迟。  

    我仍在研究这一点、但我想说、由于前置驱动器的结构具有一个单独的稳压器、用于高侧栅极驱动电流的 VCP 和用于低侧栅极驱动电流的 VGLS、因此高侧和低侧的差异是显而易见的。 因此、我们应该重点关注这两个稳压器源、这是导致您所看到差异的主要因素。  

    当我继续研究这个问题时、我会不断向您通报最新情况、但我认为上述解释是一个主要因素。  

    此致、

    -约书亚

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    你好、Joshua、

    感谢您的回复。 我可以想象低侧和高侧驱动器上的差分结构。 那么、我应该如何为低侧和高侧 MOSFET 设置灌电流和拉电流? 是否尝试不同的值以在上升沿开始到米勒平坦区结束之间获得相同的持续时间?  

    此致、

    张华

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    您好、

    关于此上升/下降时间问题、您是否具有 应用所需的特定上升/下降时间? 我不认为有必要或通常使上升和下降时间完全相同、但更重要的可能是速度阈值要求、即根据栅极电荷切换功率级 MOSFET。  

    我认为这一讨论可能是进行下去的最佳途径。   

    此致、  

    -约书亚