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器件型号：DRV8718-Q1 大家好、
我的客户正在使用8718+ MOSFET 制作高侧开关。 MOSFET VGS 击穿电压为10V。 但由于电荷泵为11V、因此我们认为峰值 VGS 应为11V。 因此、客户使用10k+22k 电阻器对 VGS 进行分压。 但他们发现它由于 RC 充电而变慢、开关操作使效率变得很差。 他们问我们是否有任何关于这种情况的建议。
大家好、
我的客户正在使用8718+ MOSFET 制作高侧开关。 MOSFET VGS 击穿电压为10V。 但由于电荷泵为11V、因此我们认为峰值 VGS 应为11V。 因此、客户使用10k+22k 电阻器对 VGS 进行分压。 但他们发现它由于 RC 充电而变慢、开关操作使效率变得很差。 他们问我们是否有任何关于这种情况的建议。
