工具与软件：
您好！
我叫 Matis、
一名学徒工程师、目前正在从事 电力电子电路板的设计。
- 上下文：
我们使用的是一个6层 PCB、只有十几种来自 Infineon Technologies 的 MOSFET IAUT300N10S5N015ATMA1。 此电路由栅极驱动器2ED21084S06JXUMA1进行控制、并采用12V 输入电压工作。 这些组件将产生热量。 在正常运行时、电路板应能够连续提供120A。 目前它仅提供90A
- 问题 ：
我们注意到、在测试原型时、由于两个 MOSFET 栅极同时开路、一些串联的 MOSFET 对(采用半桥配置)在 VBUS 和 GND 之间发生短路(请参阅原理图屏幕截图)。 这种米勒效应可能会导致跨导、也可能是我们的电路板过热且未达到所需电压的原因。
我们的限制如下：
-我们在 PCB 上没有空间放置散热器。
-我们不能增加层的宽度。
-我们无法修改 PCB 的尺寸或形状。
-没有剩余的时间或空间,以不同的方式路由 MOSFET。
PCB 下方仍有一块铝板用于吸收热量。 我们已经尽可能优化了散热。
- TPS63710：
我们认为、更合适的解决方案是添加一个像 TPS63710这样 允许 MOSFET 进行负极化的元件、看看这是否允许我们消除可能的跨导以及与其相关的问题。
- 问题1 ：
我们想知道这一想法对您是否可行、如果您熟悉这种类型的解决方案、以及您可以针对电路的设计/布线提出哪些建议？
- 问题2 ：
-我在许多类似的网上电路中发现,增加 CGD、Cgs 和 Cds 电容,可以减轻米勒效应和电压瞬变等快速开关效应,大大提高这种 MOSFET 半桥电路的稳定性。 在本例中、这可能是相关的。
-我还注意到在 MOSFET 半桥输出端使用 RLC 电路是处理快速开关问题的一种有效技术。
这些方法是否有用？ 甚至与添加的 TPS63710兼容？
提前感谢您的帮助！
ARM 1 3D 示例：
米勒效应：
蓝色表示发送至电机的电压、红色表示高侧开关、绿色表示低侧开关、而紫色表示电路板消耗的电流。 可以在低侧的下降沿看到米勒效应。
ARM 1原理图：
