请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：DRV8353 工具与软件：
您好：
我对在双电源模式下使用 DRV8353S 3SR 有疑问。 我正在单电源模式下以29.2V 的电压控制 BLDC 电机、并希望更改为双电源模式、使 VM 为12V。 但是、在数据表的第8.3.1.3节中、我不太理解与 VM 相关的一些措辞(以下引号中以粗体显示)：
"高侧栅极驱动电压电源是使用倍增电荷泵产生的、而该电荷泵通过 VM 和 VDRAIN 电压电源输入工作。 电荷泵允许栅极驱动器在宽输入电源电压范围内相对于源极正确地偏置高侧 MOSFET 栅极。 电荷泵经过调节以保持 VDRAIN + 10.5V 的固定输出电压、并支持25 mA 的平均输出电流。 当 VVM 小于12V 时、电荷泵在全倍增模式下工作、空载时会相对于 VVDRAIN 生成 VVCP = 2 × VVM–1.5V。 电荷泵会受到持续监控以确定是否发生欠压、从而防止 MOSFET 出现驱动不足的情况。"
这是否意味着、在使用~12V 电源供电时、驱动高电平栅极的电压为 VDRAIN + 22.5V ？ 如果 VM = VDRAIN、则驱动高电平栅极的电压为 VDRAIN + 10.5 ？ 那么、在电压较低时、栅极由更高电压驱动呢？ 或者我是否误解了这句话？
我们使用的 MOSFET 的最大 Vgs 电压为+/- 20V。 因此、这个增量可以使我们超过建议的边沿。
谢谢你。
