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工具与软件:
您好! 
我们使用 DRV8701EVM、并注意到相位节点电压接近-2V、接近持续时间约为50ns 的额定规格。 对于低于100ns 的事件、是否有任何宽松的规范? 这是在满载时使用电机。 
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工具与软件:
您好! 
我们使用 DRV8701EVM、并注意到相位节点电压接近-2V、接近持续时间约为50ns 的额定规格。 对于低于100ns 的事件、是否有任何宽松的规范? 这是在满载时使用电机。 
您好、Michael:
感谢您在论坛中发帖。 突出显示的规格适用于高达10us 的脉冲。 还请考虑低于100ns 的脉冲的相同限值。 在死区时间内、由于电机的电感反冲电压高于 VM (+)和低于 GND (-)电位、且高达输出 FET 的体二极管压降电压、预计会出现这些小脉冲。 只要这些尖峰分别不超过 VM 和 GND 的+/- 2V、这不会导致任何长期器件缺陷。
此致、Murugavel
您好! 
好的、让我来更详细一点地说明一下。 我们将对该评估套件进行压力测试、以确保其足够稳健、从而用于我们即将推出的设计之一。 我们正在探测评估套件上 DRV8701的相位节点电压。 我们针对该图执行的测试是在50%相电压下以重负载运行电机。 下面粘贴了我们在 GUI 中使用的设置。 
您突出显示的曲线来自整个图: 



关于电压偏移的原因、我不确定。 希望看到整个图可以帮助您得出结论。 
如果您需要更多信息、请告诉我! 
您好、Michael:
感谢您分享完整的图。 这为我提供了背景信息。 这些尖峰来自 BDC 在死区时间内产生的电感反冲电压、如前一文所述。 对于重负载电机、这些尖峰超出了驱动器的绝对最大规格。 解决方法是降低这些尖峰电压电平。 它超出该范围的原因是您在此应用中使用的 FET 体二极管速度不够快。 一种 潜在的解决方案是在 与 H 桥中的每个 FET 并联的额定电流下使用快速肖特基二极管。 另一种选择是使用更快的 MOSFET (具有更快的体二极管规格)。
此致、Murugavel