Thread 中讨论的其他器件：LM5008A
工具与软件：
您好！
在我们使用 DRV8353RSRGZR 的新电路板设计中、我们遇到了栅极驱动问题。 该电路板由双电源拓扑中使用的 DRV 组成、因此对于 VM 、我们使用调整为16.4V 输出的内部 LM5008A 和6S-12节串联电池作为主输入。 主电源的总容量为600uF。 器件的额定电流高达120A。 而不是5R6 0r 放置在所有栅极上的跳线。
DRV 原理图： 
第一个问题 栅极电压的实际上升/下降时间与数据表中计算的值并不对应。 使用的输出 MOSFET 是 FDBL86062-F085、Qtot=95nC、Qgd=20nC、对于该器件、理想的 IDRIVE 设置应为~Ω 200mA 拉电流和~Ω 400mA 灌电流。
在实际测量中、我们必须高得多才能达到一些可接受的上升/下降时间值：
IDRIVEP_LS = 300mA >~380ns
IDRIVEN_LS = 700mA >~240ns
IDRIVEP_HS = 650mA >~640ns
IDRIVEN_HS = 700mA >~180ns
死区时间= 100ns
TDRIVE= 2000ns
VDS_LVL = 1V
SEN_LVL = 0.25V
`s 上述应用设置且其栅极电压曲线的相位概览( 使用无负载电机)： 
VM16.4V (黄色)、VGLS (青色)、VCP (紫色)上使用无负载电机的电压曲线：
VGLS 和 VCP 电压看起来噪声很大。 我们还尝试了在 VM 上添加更多电容(直接在 VM 引脚上添加+44 μ F)、尽管 VM 电压更平滑、但它对 VGLS/VCP 上的瞬态和栅极电压都没有帮助。
第二个问题 最可能与第一种情况有关的是、在电机负载较高的功率测试期间、DRV 报告错误、在几次尝试后、有时会导致 芯片物理损坏。 我们讨论了两种情况： VGLS 电压开始错误或报告 VGS_XX 错误、并且 在 MOSFET 栅极上测量到不同的电阻。 报告的错误通常为 VDS_Hx、VDS_Lx、VGS_Lx、VDS_OCP、GDF。
您是否有一个提示、这种行为的原因可能是什么？
提前感谢。
