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器件型号：DRV8311 主题中讨论的其他器件：TLVM365R15
工具与软件：
您好！
我计划在一个非常小的产品中使用 DRV8311P。 PCB 大约为10mm x 20mm。
我们的120mA 负载@ 3V3、因此我们使用小型直流/直流(TLVM365R15)而不是内部 LDO 来提供系统3V3。 这还有助于减少热耗散。
在数据表 SLVSFN2B 版本 B 第5页和第6页中、它建议满足 VIN_AVDD 和 AVDD 的去耦电容器要求。
N.. b 我计划在 VM 引脚上使用10-20uF
由于我们的电路板需要非常小的尺寸、因此我想使用必要的最小去耦。 但是、因为我们不会从外部加载内部 LDO
想了解建议为 VIN_AVDD 和 AVDD 使用的最小去耦合规格。
根据数据表下方图像、LDO 也用于数字逻辑、还有另一个 LDO 用于前置驱动器(大概不是3V3？)
根据2.5 < VIN_AVDD < 3.6 (为10mA)时最大外部负载的规格、我假设内部负载小于此值、这允许我在 AVDD 上使用1uF。
它不说明内部3V3数字负载实际上是什么...
现在对于 VIN_AVDD、它的所有状态都是10uF、无论您是否在外部加载 LDO、这似乎(猜测)都是如此。 VIN_AVDD 可以连接到输出端
或可连接至 VM。 如果连接到 VM、它会产生更多的热量、但这还是取决于未知的内部数字负载电流。
如果我将其连接到直流/直流3V3、那么它将不进行调节、并且 LDO 看起来会产生~3V 的电压。 这可能会影响其提供的数字逻辑、因此可能不是一个好主意。
当然、除此之外、VIN_AVDD 需要什么去耦电容器。
希望有人可以帮助,这是一个复杂的。
谢谢、Shane 
