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[参考译文] DRV8889-Q1:DRV8889

Guru**** 1788580 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1424174/drv8889-q1-drv8889

器件型号:DRV8889-Q1

工具与软件:

尊敬的专家:

现在、当我们使用8889时、向 AOUT 端口添加一个2.2uF 电容器可提高 EMC-CEI。 这是否会对驱动器本身产生重大影响?

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    许建先生、您好!

    我想您可能意味着2.2nF、而不是 uF、请确认。 通常在2.2nF 至10nF 之间的每个 xOUTx 引脚上使用电容器来减轻某些步进电机的 EMI。 电容值高于10nF 的电容器可能会在开关期间加载输出 FET、并导致过流关断。 谢谢。

    此致、Murugavel  

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    感谢您的答复、
    我们最初使用的是10nF、但现在我们发现将 ESD 电容从10nF 增加可以提高 CEI 的低频高于。 因此、我们需要注意电容值。是否有可能增加

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    或者您是否有任何降低 CEI 的建议

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    许建先生、您好!

    需要多大的电容? 只要不会 在应用中触发热关断、较高的值就可以。 在用于电流调节的开关频率(例如30kHz)下、电容值较大的电容具有较低的电抗、Xc = 1/(2 ×π×f×C)。 这意味着更高的开关损耗会导致更多的功率耗散(热量)并导致 OTS。  

    此致、Murugavel