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器件型号：LMG3422R030 工具与软件：
尊敬的 Expert：
我的客户正在微型逆变器中的半桥拓扑中使用 LMG3422。 但发现一些问题
- 压摆率仅为50V/ns、无法获取150V/ns
- 首次启动时出现过流和故障假错误
您能帮助检查原理图并提出更多评论吗？
BR
Chi
工具与软件：
尊敬的 Expert：
我的客户正在微型逆变器中的半桥拓扑中使用 LMG3422。 但发现一些问题
您能帮助检查原理图并提出更多评论吗？
BR
Chi
客户尝试0欧姆可能会获得更大的压摆率、但在没有干净波的情况下、启动时具有 OSC 波
50V/ns
放大50V/ns
70V/ns
是否有优化的方法？
BR
Chi
尊敬的 Chi：
以更快的压摆率进行开关时、开关节点上的振铃会增加。 为了更大限度地减少较高压摆率下开关节点上的振铃、必须更大限度地减小 PCB 布局中的电源环路电感。 为此、我们建议将接地回路层直接布线在 GaN 器件下方、并将高频去耦电容器尽可能靠近 GaN 器件放置。 我在下面添加了一个图像来帮助说明。 还可以通过降低压摆率来减少振铃。
此致！
Kyle Wolf