[参考译文] MCF8329A：I2C 读写操作

你(们)好

1. 目前、我使用 I2C 来控制电机。 我知道、如果我在影子寄存器中输入值、则会将这些值写入 RAM 区域、然后通过写入 0x8A500000  0xEA 寄存器、从 0x000080 到的影子寄存器中的值 0x0000AE 会写入 EEPROM。 是这样吗？

   [ANS]正确、同时监控0xEA 将在成功完成 EEPROM 写入后变为零。

2. 这里提到、在写入影子寄存器后允许大约100µs 的稳定时间。 然而、正确写入值大约需要1ms。 要实现稳定写入、实际需要这个大约1ms 的延迟吗？ 该100µs 延迟究竟指的是什么？

   [ANS]在 I2C 通信期间需要延迟。 在发送的每个字节之间的 I2C 事务期间、需要100us 的等待时间。  

3. 对于读取选项、如果我写入 0x40000000  0xEA 寄存器、则来自 EEPROM 的数据将加载到影子寄存器中(从 0x000080 到 0x0000AE)。 是这样吗？ 我将任意值放入影子寄存器并执行了读取操作、但影子寄存器中的值未发生变化、这就是我提出问题的原因。

   [ANS]影子寄存器值在 EEPROM 上电时更新一次、在该用户可能为了调优目的而进行更改之后、因此 EEPROM 将仅针对用户不更新的寄存器进行更新。

4. 最后、在其他一些 EEPROM 中、我注意到可以连续读取多个寄存器。 MCF8329A 是否支持此功能？ 如果没有、当我要从 EEPROM 读取值时、是否需要在启动后逐个读取每个影子寄存器值？

   [问题]我们必须对每个寄存器分别进行寻址并进行读取。

请确保按照以下列出的过程成功对 EEPROM 进行编程

1. 上电时上电、将0x80000000字值写入寄存器0xEC (ALGO_DEBUG1)。 这将启用速度命令覆盖(第31位)。 该字还可确保写入零速命令、从而使电机处于电机空闲状态。 在此状态下、EEPROM 写入将成功。
2. 在步骤1之后、开始通过 I2C 发送其余调优寄存器。 保持100us 的字节间延迟
3. 通过 I2C 向器件传输的所有寄存器数据完成后、读回数据并进行验证
4. 现在向寄存器0xEA (ALGO_CTRL1)发出 EEPROM 写入命令0x8A500000
5. 等待750ms
6. 成功完成 EEPROM 编程后、读回0xEA 并确保0xEA 中的值自动清除。
7. 在0xEA 值变为零之前、不要断电。
8. 一旦清除0xEA、对电路板进行下电上电、并通过读取内容进行重新检查

在 I2C 上进行通信时使用字节间延迟的示例

• 每个帧以4字节开始

–第1字节[目标地址[7：1]：R/W[0]

• 等待100us

–控制字0 [OP_R/W[7]：CRC_EN[6]：DLEN[5：4]：MEM_SEC[3：0]] ->总共8位

• 等待100us

–控制字1 [MEM_PAGE[8：5]：MEM_ADDR[3：0]]

• 等待100us

–控制字2 [MEM_ADDR[7：0]] //  如果我们要对0x80 ISD_CONFIG 进行寻址、请在此处写入0x80

• 等待100us

谢谢、此致

Venkatadri S.

"感谢您的答复。 检查后、似乎正确实现了驱动器部分中的100µs 延迟。 目前、我是通过一次发送32位来访问影子寄存器。 我用于将数据写入0x80地址的协议如下所示： {0x10, 0x00, 0x80, 0x00, 0x00, 0x00, 0x44}此后、当将数据写入0x82地址时、似乎需要在0x80和0x82之间包含约1ms 的延迟、以确保正常运行。 您能更详细地解释一下吗？ 我需要在10ms 的任务内读取3个影子寄存器的值、我想知道在每次请求之间包含1ms 的延迟是否正确。

示例：我用于编写的协议：I send{0x10, 0x00, 0x80, 0x00, 0x00, 0x00, 0x44}、等待1ms
        然后发送 {0x10, 0x00, 0x82, 0x02, 0x18, 0x94, 0x19}

        我用于读取的协议:我发送{0x90, 0x00, 0x80, 0x00, 0x00, 0x00, 0x00},等待1ms
        然后接收4个字节到{0x00, 0x00, 0x00, 0x00}。"

你(们)好

发送帧器件必须解析 R/W 的数据、验证是否启用了 CRC、然后必须计算 CRC 等 因此每一帧之间都需要延迟。

您需要调整调度程序以适应所需的延迟。  

谢谢、此致

Venkatadri S.