工具与软件：
尊敬的技术团队：
我正在为我的设计优化设置、并注意到死区时间远高于预期。 我使用 DEADT_MODE = 1 (通过监控栅极驱动器输出(GHx 或 GLx)插入死区时间)、并且 DEADT = 001b (214ns)。
因此、在 GHx 达到0V 后、GLx 应该开始将最新的值增加大约300ns。 但是、我测量的脉冲几乎为800ns、这是奇数。 更改 DEADT 设置时、时间会增加/减少、量约为正确值、但我的偏移约为600ns。
使用的 MOSFET 为 BSC039N06NS。
通道1 (黄色)：GLx
通道2 (绿色)：SWx
CH3 (蓝色)：相电流
CH4 (红色)：GHx
数学运算(粉色)：GHx - SWx =高侧 FET Vgs
我对 TDRVP (750ns)和 TDRVN (464ns)使用相当多的设置。 这是否会干扰死区时间？ 当我阅读图表时、它不应该。
请提供建议。
谢谢、谨致问候
Stefan
您好、Yara、
我可以向大家展示原理图的片段。 我必须可以添加栅极电阻和电容、但到目前为止它们未被使用。 我没有任何缓冲器。 我的电路中唯一的特别之处在于输出滤波器、因为电机本身具有非常低的电感(约20uH)。
如果您还需要对每个单个寄存器进行设置、请告诉我。
此致
Stefan
您好、Stefan、
您是否尝试过调整 BSTx 电容器？
虽然 BSTx 电容器本身不会直接影响死区时间、但如果电容器的值过低、则可能会导致高侧栅极驱动缓慢充电、从而导致高侧 MOSFET 的激活延迟。 如果电容器的容值不合适、这可能会解释部分失调电压。
在选择 BSTx 电容器时、您是否使用了以下指南？
DRV8334在输入信号和 MOSFET 上的开关操作之间具有内置传播延迟。 这些延迟可能会因栅极驱动器的设计而异、并可能引入您可能观察到的偏移。 不过、列出的最大传播延迟为150ns、远远小于您看到的600ns 偏移。
您的输入信号是否与预期时序一致？
此致、
Yara
您好、Yara、
从关于 BST 电容器的原始注释：
我使用的电容器的电容值为280nF @ 12V、即使在最坏的情况下、该值也应该足够大。 为了进行测试、我将电容加倍、但死区时间没有变化。
我可以看到栅极在 INHA 引脚更改(1x PWM 模式)后大约150ns 开始切换。 这是预期结果、但死区时间仍然非常长。
此致、
Stefan
您好、Yara、
我很抱歉回复晚了,但我生病了,不在办公室几天。 这里是测量值、所有信号都直接在 DRV8334上测量。
CH1：INHA 上的 PWM 输入(1x PWM 模式)
CH2：GLC、低侧 FET 栅极电压
CH3：GHC - SHC、高侧 FET 栅极电压(使用高带宽差分探头测量)
CH4：电机电流 C 相
栅极电流设置得非常激进、以提高开关速度并降低它们对死区时间的影响。 解决死区时间后、我会再次减慢死区速度、因为当节点 SWC 压摆时、这会导致栅极上出现显著的串扰。
如果您需要更多测量、请告诉我。
此致
Stefan
您好、Stefan、
我想我可能理解现在发生了什么。
GHx 变为低电平和 GLx 变为高电平之间的时间并不都是死区时间、该时间的一部分也是 TDRIVE
您在以下寄存器中的 TDRVP 和 TDRNP 设置是什么？
您可以尝试调整此值、然后查看是否影响您所看到的600ns 偏移？
此致、
Yara
您好、Stefan、
我认为您可能看到的是预期行为、并且可能是死区时间变化的组合：
以及传播延迟
使用此器件测量死区时间的方式与我们的其他器件略有不同、当死区时间开始和结束时、可以根据所选的设置进行更改。
是否尝试过使用 DEADT_MODE = 0？
此致、
Yara
您好、Yara、
请让我来回答您的问题：
1) 1)死区时间设置：
我在上一篇文章中已对此进行了解答：
DEADT = 0b000U；// 70ns
TDRVP = 0b0001U；// 179ns
TDRVN_D = 0b0000U；// 70ns
TDRVN = 0b0001U；// 179ns
使用最高死区时间设置(2000ns)时、I measure 2490ns：
2)不同的单位:
我今天早上再次测试不同的单元,相同的行为。
3) 3) PWM 模式：
我使用1x PWM 和带霍尔传感器的电机、由 DRV8334负责换向。 将其更改为3倍 PWM 不仅需要电路板完全重新设计、还需要额外的软件开发。 这根本不可能实现、即使它能够解决死区时间问题、我们也不会切换到3x PWM 模式。 事实上、1x PWM 模式是选择 DRV8334而非其他驱动器的主要原因。
请使用 EVM 继续进行测量、我速度缓慢但肯定没有时间来解决问题。
此致
Stefan
您好、根据这一请求拨号、因为我已经对死区时间进行了一些测试、并看到了相同的异常-但仅在进行基于输出的死区时间注入时(我想这样做、以便尽可能缩短死区时间/让栅极驱动器的输出监控采用 MOSFET、IDRIVE 等、从而允许超出方程)。 以下是我对各种基于输出的死区时间注入设置进行测试的结果、这些设置是使用某种 FW 在同相位上的 HS 和 LS FET 之间快速切换而得出的。
大家好、Stefan、我将进行6次测试。 这是目前用于参考的完整寄存器设置。 
