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[参考译文] 《DRV8770:DRV8770RGER 设计问题》

Guru**** 2393105 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8770EVM

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1448911/drv8770-drv8770rger-design-questions

器件型号:DRV8770

工具与软件:

尊敬的德州仪器(TI)支持团队:

我希望这封邮件能让您满意。 我目前使用的是 DRV8770RGER 电机驱动器、对其运行存在一些疑问。 具体来说、是我的设计、它附加到该邮件中。

请提供以下信息:

  1. 要正确触发 DRV8770RGER 上的输出、应向 INHA、INLA、INHB 和 INLB 施加的理想输入电压和电流电平是多少?
  2. 为了确保实现与我的设计相关的正常功能、这些输入引脚是否需要考虑任何特定条件或限制?

此外、如果您了解基于这些参数的当前设计是否与该器件的建议运行条件一致、我将不胜感激。 我希望确保设置针对电机驱动器的高效可靠性能。

感谢您的时间和帮助。 我期待您的答复。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    数据表中的 第6.5节"电气特性"下详细介绍了引脚的电压和电流电平。 每个参数都列在标记的测试条件下指定了最小值、最大值和典型值。  

    2.输入管脚连接看上去正常。 然而、输入引脚已经有集成下拉电阻器、所以它们不是必需的。  

    我还建议查看数据表的第8.2节"典型应用"、因为它显示了要遵循的建议布局和连接。  

    此致!

    David

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    感谢您的初始回复。

    我根据当前设计有一个输入信号  

    Inha -低

    INHB -高电平

    INLA -高

    INLB -低电平

    GVDD = 14.97

    MODE-悬空

    死区时间电阻器- 82K  

    我的输出信号为:

    GLA-ON

    GHB-OFF

    GHA 关闭

    GLB 关闭

    升压 a 和升压 b -14.3V

    GHB 关闭的原因有哪些?

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    您好、Michael:

    通道 B 似乎可以正常工作、而通道 B 则不能正常工作。 查看逻辑输入、INHB = 1和 INLB = 0应启用高侧 FET、但输出处于无效状态。  

    最好查看数据表的自举电容器选择部分、确保电容值足够大。  

    死区时间电阻器设置为82k、这应使高侧和低侧 FET 之间的死区时间约为410ns。 这是您针对通道 A 看到的吗?

    输入是以某个 PWM 频率或静态频率进行切换?

    此致!

    David

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    尊敬的 David:

    再次感谢您的持续帮助  

    上面附录的照片是我针对自举电容进行的计算结果、一切都满足数据表中的要求。  

    是的、在从通道 a 切换到通道 b 时具有大约12ms 的死区时间、并且 输入以20kHz 的频率切换。

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    校正: 我的测试仪的输入是静态的。

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    您好、Michael:

    请允许我在24小时内查看计算结果和原理图。 明天我会介绍更多信息。  

    此致!

    David

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    您好、Michael:

    如果可能、您能否提供输入和输出信号的示波器捕获?

    似乎负载正尝试反向驱动、 我建议 正向驱动。  

    您是否尝试过替换 Q4 FET? 如果驱动器能够正向驱动、我们也许可以将问题隔离到外部 FET。

    此外、您是否尝试过在 DRV8770EVM 上评估该器件? 如果没有、始终建议用于新设计。  

    此致!

    David

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    INLA 和 INHB 上的输入电压为3.3V (反向)

     Q12栅极电压(反向)。

    Q6栅极电压(反向)。

     

    INHA 和 INLB 上的3.3V 输入电压(正向)

    Q11栅极电压(正向)。

    Q8栅极电压(正向)。

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    这就是我在向两个输入立即施加3.3V 电压时获得的信号、这就是 MOSFET I USE -(MCAC38N10Y-TP)。 我已尝试更换 MOSFET、但没有任何变化。 在两个方向上驱动后、我看到两个高侧 MOSFET 都没有通电。 是的、我   在设计电路板之前使用 DRV8770EVM 进行了原型设计、结果证明这种方法起作用。

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    您好、Michael:

    GVDD 和 PVDD 电压是多少? 您是否期望栅极处出现15V?

    此致!

    David

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    GVDD 为15V、PVDD 为24V。 是的、我希望栅极处电压为15V。

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    您好、Michael:

    DRV8770EVM 使用一个100kΩ 电阻器将高侧和低侧的栅极与源极相连、以提供稳定的电压电平并防止可能出现的栅极电压电平浮动。 齐纳二极管(16V)是可选的、但也可以钳制任何高于16V 的瞬态电压、以保护 FET。

    此外、输入引脚上的下拉电阻也不是必需的、因为它们已经有200kΩ 内部下拉电阻。  

    此致!

    David

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    David、您好!

    遗憾的是、在添加了未能解决问题的二极管和电阻之后。 我还尝试单独向输入发送3.3V 电压、在低侧的栅极上收到15V 电压、在高侧的栅极上收到1.292V 电压。 欢迎提出任何其他建议。

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    您好、Michael:

    请允许我花些时间进行回顾、我将提出一些建议。  

    此致!

    David

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    您好、Michael:

    在看到这个问题后、我还有一些建议。  

    1.高侧 FET 可能无法导通、原因可能是自举电容器充电的时间有限。 为了使 Q11具有足够的栅极电荷来导通、Q12必须导通、使脉宽最小、以便为自举电容器充电。  

    数据表中将 INHx、INLx 上改变 GHx 和 GLx 输出的最小输入脉冲宽度指定为 tPW_min、通常约为70ns。 我建议对 INLx 进行脉冲设置为150ns 的最大建议值、以确保电容器具有足够的电荷。  

    2.我还会复查计算、以确保 本地 GVDD 旁路电容比自举电容至少大10倍。

    GHx 和 GLx 上10Ω 的栅极电阻应该合适、但也值得查看数据表的栅极电阻选择、并或许可以尝试增加它来改变 SHx 引脚上的压摆率。  

    栅极电阻选择(数据表) 

    此致!

    David

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    谢谢 David、这个解决方案解决了我的问题。