[参考译文] DRV8770EVM：U1元件故障

尊敬的 Danny：

感谢您的提问。

我们还有几个后续问题

1.是否有负载连接到板上?

2.您是否检查过设备中出现了哪种损坏(就像任何针脚接地短路或与良好的装置相比开路)

谢谢！

Ibinu

您好！

1.是的, 我们的测试过程中连接了各种负载。 该板发生故障的情况、负载正在绘制有关30mA 的图。 负载是具有500欧姆串联电阻的齐纳二极管。 电源电压设置为~30V、齐纳电压为16V、发送了~20ms 的单脉冲。 在其他情况下、负载只是电阻负载、消耗几安培电流的时间为几十毫秒。

2.我们进行了大量的电阻测量、其中一个测试结果是 Inha 似乎短接至 GND。 其测量值为0.9 Ω。 还有其他一些异常测量结果、例如 INHA 到 INLB 的测量值171欧姆(而不是良好电路板上的~2Meg)、INHA 到 INHB 的测量值273欧姆(而不是良好电路板上的1.6Meg)、但我想问题的根源是 INHA 对 GND 短路。

谢谢！

Danny

尊敬的 Danny：

死区时间是多久？ 如上所述、在向 HS FET 发送 PWM 时、低侧 FET 会保持导通状态。 死区时间需要长于 PWM 脉冲宽度。 如果 DT 引脚接地、则当高侧和低侧输入均为逻辑高电平时、固定死区时间为200ns。  

此致！

David

您好！

查看 DRV8770EVM 板的原理图、DT 引脚通过0欧姆电阻接地。 我们根本没有修改此值、因此死区时间为200ns。  

在我在上面的发言中、低侧 FET 仅在 B 侧(INHB、INLB)保持导通状态、而 A 侧通过信号产生脉冲(INHA、INLA)。 我们根据 数据表中的表7-3控制这些位。 不应出现在给定侧(A 或 B)同时启用高侧和低侧 FET 的情况、因为我们处于反相模式。  

嗨、Danny：

请允许我花一些时间在实验室中重现此问题、我将在了解更多信息时进行联系。  

此致！

David

尊敬的 Danny：

对延迟响应深表歉意。

无法在实验室中重现问题。 如果可能、您是否能够在示波器上提供或捕捉输入和输出波形？ 这对诊断问题非常有帮助。

 Inha 的输入电阻似乎很 低。 它可能以某种方式对地短路。

此致！

David

尊敬的 David：

我将尝试从我们的工作部门为您获取一些示波器图。

为了澄清一下、在我们开始看到它们逐个失败之前、这些委员会已经工作了很长时间(许多月)。 我想在该时间段内、同一个错误可能会在多个单元上重复出现、导致它们中断、但我不确定这可能是什么错误。 我们的测试程序保持不变、因此我们不会改变设置。  

谢谢！

Danny

尊敬的 Danny：

听起来不错、期待对波形进行分析。  波形将有助于模拟您的设置、并有望找到问题。  

此致！

David