工具与软件：
嗨、团队：
我的客户正在使用 DRV8889-Q1的 OCP 自动重试功能。 他们希望了解当 DRV8889在过流情况下1分钟内每4ms 重试一次时是否存在风险。 他们担心它可能会导致热量积聚和损坏器件、尤其是在高 Tamb 下、例如高于100°C。 根据我的理解、该器件具有热关断功能、因此这里没有风险。 您能否分享一些意见？
此致
灰色
您好、灰：
感谢您的提问。 在 OCP 重试模式下、OCP_MODE = 1b、重试自动为4ms (典型值)。 该弹齿 足以减轻由于连续过流情况而产生的热点效应。 当发生 OCP 时、这意味着存在异常情况。 检测到 OCP 后、在了解 OCP 原因之前、不得重新启用器件。 这将是一种很好的设计做法。
但是、如果特定应用的客户希望多次使用重试模式、如您所述、该器件同时具有 过热警告(OTW)和 热关断(OTSD) 保护功能。
如果内核温度超过过热警告(TOTW)的跳闸点、则会在 SPI 寄存器中设置 OTW 和 TF 位。 器件不会执行任何其他操作、并且会继续运行。 当内核温度降至低于过热警告的迟滞点(THys_OTW)时、OTW 和 TF 位会自动清除。 通过 SPI 寄存器将 TW_REP 位设为1b、OTW 位还可配置为通过 nFAULT 引脚报告、并在器件中设置 FAULT 位。 在这种情况下、电荷泵将保持激活状态。
如果内核温度超过热关断限值(TOTSD)、则会禁用 H 桥中的所有 MOSFET 并将 nFAULT 引脚驱动为低电平。 在这种情况下、电荷泵会被禁用。 此外、FAULT、TF 和 OTS 位会被锁存为高电平。 无法禁用此保护功能。 过热保护可在两种不同的模式下运行：锁存关断和自动恢复。 7.3.11.6.1锁存关断(OTSD_MODE = 0b)在此模式下、OTSD 事件后会禁用所有输出并将 nFAULT 引脚驱动为低电平。 FAULT、TF 和 OTS 位将在 SPI 寄存器中被锁存为高电平。 器件会在发送 CLR_FLT 命令、nSLEEP 复位脉冲或下电上电后恢复正常运行。
这是发生 OTSD 事件时采用的默认模式。 7.3.11.6.2自动恢复(OTSD_MODE = 1b)在此模式下、OTSD 事件后将会禁用所有输出并将 nFAULT 引脚驱动为低电平。 FAULT、TF 和 OTS 位将在 SPI 寄存器中被锁存为高电平。 结温降至过热阈值限值减去迟滞(TOTSD–THYS_OTSD)所得的值以下后、器件将恢复正常运行(电机驱动器开始运行、释放 nFAULT 线路且 FAULT 位变为低电平)。 TF 位和 OTS 位保持锁存为高电平、指示发生热事件、直到通过 CLR_FLT 位或 nSLEEP 复位脉冲发出清除故障命令为止。
请参阅高温下的器件运行条件：
如上所述、妥善做法是 检查 OCP 的根本原因、然后重新 启用器件。 但是、它们可以检查 OTW 和 TF 位作为器件中温度上升的指示器。
如果您有任何其他问题、请告诉我。
此致、
Mojtaba。
