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[参考译文] MSP430F249:25LC512 EEPROM 读取/写入时间?

Guru**** 2387520 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/1498942/msp430f249-25lc512-eeprom-read-write-time

器件型号:MSP430F249

工具/软件:

我进行了测试、想看看我使用的这个25LC512 EEPROM 需要多长时间才能填满。 为此,我只有一个快速函数在每个内存地址发出 writeeeprom ()命令。 当我尝试读取或写入每个内存地址时、它会冻结。 不过、逐行调试时、它会按预期运行、这使得我认为处理围绕 SPI_TRANSMIT 或使用时钟(当前设置为100kHz)包装的标志的方式会导致时序问题。

我有一段 时间(!(IFG2和 UCB0TXIFG)); while (UCB0STAT 和 UCBUSY );包裹在我将数据发送到 Tx 缓冲区的位置以及一段时间(!(IFG2和 UCB0RXIFG); 然后我从 Rx 缓冲区读取、所以我看不到我的时序会被关闭。 鉴于我的时钟仅为100kHz、我也不知道 EEPROM 发出命令的速度会太快。 在查看数据表时、它指出 TWC (内部写入周期时间)为5ms、但我的标志是否会解决这一问题?

我相信我遗漏了一些信息、因此如果您有任何建议、我们将不胜感激。 谢谢!

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    Unknown 说:
    咨询数据表、它指出 TWC (内部写入周期时间)为5ms、但我的标志是否不会处理此问题?

    编号 必须读取状态寄存器