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[参考译文] LP-MSPM0C1104:无法写入应用程序代码使用的闪存

Guru**** 2426670 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/1533361/lp-mspm0c1104-cannot-write-to-flash-used-by-application-code

器件型号:LP-MSPM0C1104

工具/软件:

我在闪存中定义了一个结构、与闪存的扇区大小对齐。 该结构由应用程序使用默认数据填充。 当我尝试使用 Driverlib 中的闪存函数删除或修改它时、闪存保持不变、即使状态报告为 DL_FLASHCTL_COMMAND_STATUS_PASS。 地址为 0x3800。  

我可以修改没有定义结构或其他数据的区域中的闪存。 应用程序定义的闪存扇区是否以某种方式锁定、或者应用程序是否以某种方式更改闪存区域?

我已确保清除、取消保护和擦除我写入的扇区。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Ville:
    很抱歉晚回复。 您是否在使用 SDK 中的闪存示例、还是自定义工程?

    此致、

    Diego Abad

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Ville:
    您是否仍需要有关此问题的帮助?

    此致、

    Diego Abad