请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：MSP430FR5969大家好：
在 MSP430FR5969 中、我努力解决了以下问题：
我使用以下序列转换：
ADC12_B_MEMORY_1
ADC12_B_MEMORY_3
ADC12_B_MEMORY_4
ADC12_B_MEMORY_4 具有已激活的 ADC12EOS 位。 所有三个存储器缓冲器都与外部基准电压相配置。
ADC12_B_MEMORY_5 在使用内部基准进行单次转换时使用。
ADC 的所有结果都没有问题。 但是、当我为 ADC12_B_MEMORY_5 使用内部基准时、60µs 需要更长的时间。 尽管在序列转换期间未测量 ADC12_B_MEMORY_5、但 µC μ s 似乎会等到内部基准稳定后才会等待。
如果我使用内存缓冲区 1、2、3、则序列转换不再需要更长时间。
如果为 ADC12_B_MEMORY_5 配置了外部基准、则也不会占用较长的内存。
我在数据表中未找到有关这种行为的任何信息。 你有什么解释吗?
此致
Thomas
