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[参考译文] MSP430G2131：MSP430G2131

admin
Guru**** 2661125 points

Other Parts Discussed in Thread: UNIFLASH, MSP-FET

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/1589751/msp430g2131-msp430g2131

器件型号： MSP430G2131
Thread 中讨论的其他器件： UNIFLASH、 MSP-FET

团队、

即使在不同芯片中使用相同的 bin 文件、我们也面临计时问题。

1.外设存储器、RAM 和信息存储器中是否存在预定义值？
2.当我在特定芯片中下载代码内存并每次读回内容时、信息和外围内存位置数据发生变化。 这是预期行为吗？
3.对芯片进行下电上电时、我的 GPIO 开始时间中的一个会根据应用固件而变化。 GPIO 应在 12ms 后处于高电平、但现在它会在每次下电上电时在 12ms 和 22ms 之间切换。 请告诉我您的想法、原因是什么？

MSP-FET 调试器是否可以使用 Uniflash 应用影响回读内容？

此致、

Madhurya

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    TI__Guru**** 2661125 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 MK、

    很抱歉晚回复。 我将在检查此问题后在此处回复您、并在内部确认。

    BR、

    Janz

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    TI__Guru**** 2661125 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Janz：

    有任何反馈意见？

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    TI__Guru**** 2661125 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 MK、

    1.有关此信息 、可查看用户指南 MSP430F2xx、MSP430G2xx 系列用户指南（修订版 K）中的详细信息。 关于信息存储器、它已存储特定频率的信息、例如校准后的 DCOCTL 和 BCSCTL1 寄存器设置。 外设存储器与外设寄存器有关、这些寄存器具有其默认值。

    2、我认为如果您不修改信息内存和外设寄存器、当您读取它们时、它们不会被更改

    3.计算 12ms 时的起始点是什么。 如果您在用于切换 GPIO 的代码之前和之后进入调试模式并设置断点、我认为您可以发现时间已经结束。 如果您设置了 VCC 开始上升的时间起始点、VCC 上升到 VB_IT+的时间、以及您是否可以捕获 VCC 开始上升的准确时间点和电源、以及是否在切换 GPIO 的代码之前修改应用固件、所有这些都将是计算时间的误差源、

    4. MSP-FET 只是一个调试器工具,我认为它不会影响 MCU 的内存内容。

    BR、

    Janz Bai