Other Parts Discussed in Thread: MSPM0G3519
器件型号: MSPM0G3519
您好、
我正在 MSPM0G3519 上开发定制引导加载程序。 我创建了两个单独的项目:
- 引导加载程序项目
- 应用工程
为了将引导加载程序和应用程序内存分开、我在 device_linker.cmd (.cmd) 中为这两个工程修改了闪存区域。
更改闪存大小/原始位置后、项目不再在调试模式下工作、无法对器件进行闪存/编程。
以下是链接器存储器配置。
//引导存储器段
移动数据
{
闪存中 (Rx) :origin = 0x00008000、length = 0x00078000
SRAM_BANK0 (rwx):origin = 0x20200000、length = 0x00010000
SRAM_BANK1 (RWX):origin = 0x20210000、length = 0x00010000
BCR_CONFIG (R) :origin = 0x41C00000、length = 0x000000FF
BSL_CONFIG (R) :origin = 0x41C00100、length = 0x00000080
数据 (r) :origin = 0x41D00000、length = 0x00004000
}
很重要
{
.intvecs: > 0x000008000
.text :palign(8){}> flash
.const : palign(8){}> flash
.cinit :palign (8){}> FLASH
.pinit :palign(8){}> flash
.rodata : palign(8){}> flash
.arm.exidx :palign(8){}> flash
.init_array :palign(8){}> flash
.binit : palign(8){}> flash
.TI.ramfunc :load = FLASH、palign (8)、run=SRAM_BANK0、table (BINIT)
.vtable: > SRAM_BANK0
.args : > SRAM_BANK0
.data : > SRAM_BANK0
.bss : > SRAM_BANK0
.sysmem : > SRAM_BANK0
.TrimTable: > SRAM_BANK0
.stack : > SRAM_BANK0 (high)
.bCRConfig :{}> BCR_config
.BSLSConfig :{}> BSL_config
.databank :{}>数据
}


