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[参考译文] MSPM0G3519-Q1：批量擦除是否也会擦除 DFLASH 区域？

admin
Guru**** 2927270 points

Other Parts Discussed in Thread: MSPM0G3519-Q1, UNIFLASH

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/1652057/mspm0g3519-q1-does-mass-erase-also-erase-the-dflash-region

器件型号： MSPM0G3519-Q1
Thread 中讨论的其他器件： UNIFLASH

对于 MSPM0G3519-Q1、 批量擦除命令是否会擦除 DFLASH 区域？

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    TI__Guru**** 2927270 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Jonathan：  

    否、DSSM 批量擦除命令不会擦除 MSPM0G3519-Q1 上的 DFLASH（数据闪存）区域。 我们严格按照存储器区域边界定义存储器清除策略、防止意外擦除非易失性配置参数。  如果您有意需要擦除 16KB 数据闪存组、则必须通过 UniFlash/CCS 等辅助工具链设置提升工具进行处理：

    转到“Target Configurations“->“Erase Settings“、取消选中“Erase Main Memory Only“、并将 Data Flash 范围 (0x41D00000 至 0x41D03FFF) 明确包含在您的扇区/范围擦除选项中。

    或者、在应用程序固件中、您可以利用内部闪存控制器 循环并执行逐扇区擦除命令、具体目标是 0x41D0_0000 基地址。

    希望这对您有所帮助！

    -布里安