尊敬的 TI：
我有两个更高级别的问题，以获得一般理解。
1.阅读《用户指南》中关于修整 DCO 的内容后，我不太明白为什么要在出厂修整时使用软件修整？ 我更喜欢使用工厂方法，但它不能为您提供准确的值吗？ 我在启动板中运行的代码使用软件调整为8 MHz。 使用工厂装饰时，我是否能获得相同的8 MHz？ 在文档中，短语“当在最大有效值上选择 DCO 范围时”对我来说是令人困惑的。
2.我的第二个问题是将数据保存到非易失性存储器，我认为这一部分是 FRAM 存储器。 在这方面，《用户指南》和特定于设备的数据表没有太多可供选择的内容。 我发现示例代码非常有说明性，但希望也能找到一些文档。 那么，您是否需要先删除64字节扇区，然后才能写入该扇区？ 如果要更改以前写入的值，是否需要再次删除整个扇区？ 我意识到您的驱动程序库有用于此的例程，但如果我只想保存几个字节，我不确定是否要将这些例程的整个库链接起来。 我复制了下面我要查看的一些示例代码。
无论如何，感谢您回答我的问题。
布雷特
无效 write_SegC(字符值)
｛
字符*Flash_PTR；//闪存指针
无符号 int i；
Flash_PTR =(CHAR *) 0x1040；//初始化闪存指针
FCTL3 = FKEY；//清除锁定位
FCTL1 = FKEY + erase；//设置 Erase Bit
*闪存_PTR = 0；//虚拟写入以擦除闪存
FCTL1 = FWEKEY + WRT；//设置 WRT 位以执行写入操作
对于(i = 0；i < 64；I++)
｛
*Flash_PTR++=值；//写入闪存值
}
FCTL1 = FWEKEY；//清除 WRT 位
FCTL3 = FWEKEY + LOCK；//设置锁定位
}
