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[参考译文] MSP430F6779：RAM v.闪存访问速度

admin
Guru**** 2511985 points
Other Parts Discussed in Thread: MSP430F6779

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/1084889/msp430f6779-ram-v-flash-access-speeds

部件号：MSP430F6779

大家好，团队

有关 MSP430F6779和其他 MSP430器件的相对 RAM 和闪存速度的快速问题。

RAM 和闪存的运行速度是否相同？ 或者，重新措辞，CPU 的访问时间是否相同？

谢谢，

雅各布

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    TI__Guru**** 2511985 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好雅各，

    闪存设备的 RAM 和闪存访问时间相同。 写下这些回忆是一个不同的故事。  

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    TI__Guru**** 2511985 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    谢谢你，贾斯！ 你能详细阐述第二点关于给不同记忆写作的问题吗？

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    TI__Guru**** 2511985 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    从 RAM 和闪存执行程序需要相同数量的 CPU 周期。

    将数据写入 RAM (例如整数)需要几个 CPU 周期，类似于从 RAM 读取数据。

    在注释中写入与 CPU 周期相关的数据。 有特殊的算法，速度与闪存速度本身相关，每个 F5xx/6xx 设备的速度不同。 但是，即使是这样，F5xx/6xx 系列的速度也非常快(与其他一些微控制 器供应商相关)。 启用智能位时使用 F5xx/6xx 块写入将达到300 KByte /s

    从闪存读取数据与从 RAM 读取数据相同，与 CPU 周期数有关。