[参考译文] CCS/MSP430G2553：写入/读取信息存储器-正确的方式

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https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/575471/ccs-msp430g2553-write-read-into-information-memory---the-right-way

部件号：MSP430G2553

工具/软件：Code Composer Studio

大家好，

关于信息存储器。存储器是字节可寻址的(我想是)

它有4个数据段，每个数据段有64个字节(总共256个字节)。

它以地址0x1000 (段D)开头。因此，如果我在此地址中输入一个字符(字节大小)，则下一个可用的地址是0x1001

如果之后我输入一个短(2个字节)，则下一个可用地址是 0x1003

如果我说的是正确的，那么为什么我下面的代码不能正常工作？

#include <msp430g2553.h>

#define end_of_flash 0x0FFFF

void WriteCharToFlash(Char Flashptr，char val)；
void WriteLongToFlash(Long* Flashptr，Long val)；
void ReadCharFromFlash(Char地址， CHAR* val)；
void ReadLongFromFlash (Long*地址，Long* val)；
void ClearAllFlash()；

int main (void){
	WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD;
	BCSCTL1 = CALC1_1MHz； //将DCO设置为1MHz
	DCOCTL = CALDCO_1MHz；
	FCTL2 = FWKEY + FSSEL0 + FN1；

	长val；
	char val2；
	ClearAllFlash()；
	WriteCharToFlash((Char *) 0x0.1万, '2')；
	ReadCharFromFlash((Char *) 0x0.1万,&val2)；
	WriteLongToFlash((((Long*) 0x0.1001万, 123.4567万)；
	ReadLongFromFlash((Long*) 0x0.1001万,&val)；

	ReadLongFromFlash((Long*) 0x0.1001万,&val)；
	ReadCharFromFlash((Char *) 0x0.1万, &val2)；
	返回0;
}


void WriteLongToFlash(long* address, long val)
{
	long* flash_ptr；
	flash_ptr =地址；//初始化Flash指针
	FCTL1 = FWKEY + erase； //设置擦除位
	FCTL3 = FWKEY； //清除锁定位
	*FLASH_PTR =0；
	WHITE(FCTL3 & BUSY)；
	FCTL1 = FWKEY + WRT；
	*FLASH_PTR = val；
	WHITE(FCTL3 & BUSY)；
	FCTL1 = FWKEY； //清除WRT位
	FCTL3 = FWKEY + LOCK； //设置锁定位
}

void ReadLongFromFlash(long* address，long* val)
{
	long* flash_ptr；
	flash_ptr =地址；
	*val =*flash_ptr；
}

void WriteCharToFlash(Char地址，char val)
{
	char* flash_ptr；
	flash_ptr =地址；//初始化Flash Pointer
	FCTL1 = FWY + erase； //设置擦除位
	FCTL3 = FWKEY； //清除锁定位
	*FLASH_PTR = 0；
	FCTL1 = FWKEY + WRT；
	*FLASH_PTR = val；
	FCTL1 = FWKEY； //清除WRT位
	FCTL3 = FWKEY + LOCK； // set lock bit
}

void ReadCharFromFlash(Char* address, char* val)
{
	char* flash_ptr；
	flash_ptr =地址；
	*val =*flash_ptr；
}

void ClearAllFlash()
{
	char *flash_ptr； //段D指针
	flash_ptr =(char *) 0x1000； //初始化闪存段D指针
	FCTL1 = FWKEY + MERAS； //设置大量擦除位
	FCTL3 = FWKEY； //清除锁定位
	*FLASH_PTR =0； //虚拟写入以擦除闪存段D
	FCTL1 = FWKEY + WRT； //设置写入操作的WRT位
	FCTL1 = FWKEY； //清除WRT位
	FCTL3 = FWKEY + LOCK；
}

8 年多前

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2535140 points

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写入闪存的数据应该对齐。您可以将字节写入/读取到0x1000，0x1001，0x1002...字写入到0x1000，0x1002，0x1004...
当然，您可以通过换档将您的功能更新为在0x1001之间正确写入/读取长距离，但看不到任何点/原因。
写入功能将在写入前擦除所有块(0xFFFF值)。功能ClearAllFlash将擦除所有主闪光灯，包括您的程序。

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2535140 points

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感谢您的帮助，

根据我的理解，如果我不想擦除我的程序(代码和数据)，不要使用ClearAllFlash

根据您的说法，我将数据放在正确的位置

那么为什么我得到错误的值呢？

在代码中，我将char 2写入0x0.1万并读取，它返回2

之后，我将长123.4567万写入0x0.1001万并读取，它返回123.4567万

到目前为止，它应该是这样的。

但是，如果我再次读取地址0x0.1万，我没有得到2，而是得到其他内容。

我不明白为什么

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2535140 points

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MSP430不允许未对齐的内存访问。当您尝试将大于8位的值写入0x1001地址时，会发生不可预测的情况。 (在您的情况下，CPU显然会访问0x1000。)

请注意，您的所有写入函数都会擦除整个句段，因此它们还会擦除任何早期写入调用放入同一句段的任何值。

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2535140 points

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感谢您的回复，

在char和long的写入部分，我擦除擦除行并设置一个新的main，下面是代码的一部分：

INT MAIN (void){
	WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD；
	BCSCTL1 = CALC1_1MHz； //将DCO设置为1MHz
	DCOCTL = CALDCO_1MHz；
	FCTL2 = FWKEY + FSSEL0 + FN1；

	长val；
	char val2；
	char val3；
	ClearAllFlash()；
	WriteCharToFlash ((CHAR *) 0x0.104万，'2')；
	WriteLongToFlash ((Long *) 0x0.1039万，1234567)；
	WriteCharToFlash ((CHAR *) 0x0.1035万， '5')；

	ReadCharFromFlash((Char *) 0x0.104万，&val2)；
	ReadLongFromFlash((((Long*) 0x0.1039万，&val)；
	ReadCharFromFlash((Char *) 0x0.1035万，&val3)；

	返回0;
}


void WriteLongToFlash(long* address，long val)
{
	long* flash_ptr；
	flash_ptr =地址；//初始化闪存指针
	while (FCTL3 & busy)；
	FCTL1 = FWKEY + WRT；
	*FLASH_PTR = while
	(FCTL3 & Busy
	)；FWCTL1 = FWCTL3； //清除WRT位
	FCTL3 = FWKEY + LOCK； //设置锁定位
}

我从C段开始

将Charon 0x0.104万置于以下地址： 0x0.104万
将long置于0x0.1039万将采用以下地址： 0x0.1039万， 0x0.1038万， 0x0.1037万， 0x0.1036万
将CHAR置于0x0.1036万上采用以下地址： 0x0.1035万

但只有最后一个参数获得正确的值。

所以我不知道我错过了什么

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2535140 points

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您读的值是什么？

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2535140 points

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十六进制 (12月)
阀2 = 0xFF (255)
Val = 0xFFFFFFFF (-1)
阀3 = 0x35 (5)

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2535140 points

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其他值被擦除。

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2535140 points

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我不明白怎么做？我是否写信给无法访问的地址？
可能是因为ClearAllFlash？但它是代码的开头

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2535140 points

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显示整个代码。更改值以确保正在运行新代码。

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2535140 points

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我更改了值，但当我运行代码时，数据未写入或读取

下面是完整的代码，感谢您的帮助

#include <msp430g2553.h>

void WriteCharToFlash(CharFlashptr，char val)；
void WriteLongToFlash(Long* Flashptr，Long val)；
void ReadCharFromFlash(Char地址， CHAR* val)；
void ReadLongFromFlash (Long*地址，Long* val)；
void ClearAllFlash()；

int main (void){
	WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD;
	BCSCTL1 = CALC1_1MHz； //将DCO设置为1MHz
	DCOCTL = CALDCO_1MHz；
	FCTL2 = FWKEY + FSSEL_3 + FN1；

	长val；
	char val2；
	char val3；
	//ClearAllFlash()；
	WriteCharToFlash ((CHAR *) 0x0.104万，'4')；
	WriteLongToFlash ((Long *) 0x0.1039万，5.4321万)；
	WriteCharToFlash ((CHAR *) 0x0.1035万， '7')；

	ReadCharFromFlash((Char *) 0x0.104万，&val2)；
	ReadLongFromFlash((((Long*) 0x0.1039万，&val)；
	ReadCharFromFlash((Char *) 0x0.1035万，&val3)；

	返回0;
}


void WriteLongToFlash(long* address，long val)
{
	long* flash_ptr；
	flash_ptr =地址；//初始化闪存指针
	while (FCTL3 & busy)；
	FCTL1 = FWKEY + WRT；
	*FLASH_PTR = while
	(FCTL3 & Busy
	)；FWCTL1 = FWCTL3； //清除WRT位
	FCTL3 = FWKEY + LOCK； // set lock bit
}

void ReadLongFromFlash(long* address, long* val)
{
	while (FCTL3 & busY)；
	long* flash_ptr；
	flash_ptr =地址；
	*val =*flash_ptr；
}

void WriteCharToFlash(Char* address, char val){

	Initialize* flash_rt;
	flash_ptr =地址；// fwctl=
	待
	
	处理；*FWCTL1 & ptr =待处理；FWCTFLASH =待处理；FWCTFLT = FLASH =待处理；FWCTFLT = FLASH
	While (FCTL3 & Busy)；
	FCTL1 = FWKEY； //清除WRT位
	FCTL3 = FWKEY + LOCK； // set lock bit
}

void ReadCharFromFlash(Char* address, char* val){

	while (FCTL3 & busy);
	char* flash_ptr；
	flash_ptr =地址；
	*val =*flash_ptr；
}

void ClearAllFlash()
{
	char *flash_ptr； //段D指针
	flash_ptr =(char *) 0x1000； //初始化闪存段D指针
	FCTL1 = FWKEY + MERAS； //设置大量擦除位
	FCTL3 = FWKEY； //清除锁定位
	*FLASH_PTR =0； //虚拟写入以擦除闪存段D
	FCTL1 = FWKEY + WRT； //设置写入操作的WRT位
	FCTL1 = FWKEY； //清除WRT位
	FCTL3 = FWKEY + LOCK；
}

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2535140 points

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擦除将所有位设置为1。编程(写入)将某些位设置为0。如果根本不清除，则不能将任何位更改为1。

MERAS位表示“大量擦除”，并擦除所有主内存段。您可能需要使用擦除位。

(请参阅《用户指南》的7.3 章节2。)

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2535140 points

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[报价用户="Joe Shoshana"]

我更改了值，但当我运行代码时，数据未写入或读取

下面是完整的代码，感谢您的帮助

	//ClearAllFlash()；
	WriteCharToFlash ((CHAR *) 0x0.104万，'4')；
	WriteLongToFlash (((Long *) 0x0.1039万，5.4321万)；
	WriteCharToFlash ((char *) 0x0.1035万，'7')；

	ReadCharFromFlash ((char *) 0x0.104万，&val2)；
	ReadLongFromFlash ((Long *) 0x0.1039万， &val)；
	ReadCharFromFlash ((char *) 0x0.1035万，&val3)；
 
您不能将长值写入0x1039 (闪存或RAM，任何内容)。

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2535140 points

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我做了一些更改：

1.在写入功能中，我忘记解锁FWKEY，所以我添加了它。

2.我添加了擦除功能：

void EraseSegment(Char* flash_PTR)
{
	FCTL3 = FWKEY； //清除锁定位
	FCTL1 = FWKEY +擦除； //设置擦除位
	*FLASH_PTR =0；
	FCTL1 = FWKEY； //清除WRT位
	FCTL3 = FWKEY + LOCK； //设置锁定位
}

我从long更改为char并重新排列地址以使其对齐以下是主要内容：

INT MAIN (void){
	WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD；
	BCSCTL1 = CALC1_1MHz； //将DCO设置为1MHz
	DCOCTL = CALDCO_1MHz；
	FCTL2 = FWKEY + FSSEL_3 + FN1；

	char val；
	char val2；
	char val3；
	EraseSegment((Char *) 0x1040)；
	WriteCharToFlash((char *) 0x0.104万，'1')；
	WriteCharToFlash((char *) 0x0.1039万，'3')；
	WriteCharToFlash((char *) 0x0.1038万， '5')；

	ReadCharFromFlash((Char *) 0x0.104万，&val2)；
	ReadCharFromFlash((Char *) 0x0.1039万，&val)；
	ReadCharFromFlash((Char *) 0x0.1038万,&val3)；

	返回0;
}

但仍不保存val 3和val 5

另一件事，您建议如何节省长期价值？分为两个词？

那么，短呢？是否可以写入2字节(字)？

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2535140 points

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您正在擦除包含地址0x1040的信息存储器段，即0x1040到0x107F的段。您正在将其他两个值写入未擦除的闪存。

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2535140 points

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[报价用户="Joe Shoshana"]

另一件事，您建议如何节省长期价值？分为两个词？

那么，短呢？是否可以写入2字节(字)？

[/引述]

如果(由于某些特殊原因)需要将单词/长字符写入未对齐的地址，则可以将其拆分为字节，并使用具有地址增量的多字节写入。

标准方法是将单词写入0x1040，0x1042，0x1044...并将长字拆分为两个单词，然后使用双地址增量进行写入。

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2535140 points

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… 并将长分为两个单词

编译器会自动执行此操作。只有当两次写入的顺序很重要时，才需要注意这一点。

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2535140 points

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感谢您的帮助，

在过去的一周里，我尝试写入主内存，成功写入主内存，但是我总是需要一个2字节的地址来写入(无论字符还是短)。但是当我尝试在运行时更改它时，它不会更改任何内容。每次调用saveparameters函数时，我都会调用loadparameters来查看参数是否已保存。

我尝试在信息存储器中执行相同操作，但在运行时仍无法更改。

以下是信息存储器中仅有一个参数的代码(主存储器中的代码相同)

void LoadParameters()
{
	Short M1，m2；
	ReadFromFlash((car*)0x1040，(car*)&cnt_By_idx)；// Count_by
	IF( cnt_By_idx < 0|| cnt_by_idx > count_by_arr_LEN -1)
		cnt_by_idx =3；cnt_by_whar*


Write*( fvoid

	




	
	
	)符号=1040_flash; ftr_flash={+格列数) //初始化闪存指针
	While (FCTL3 & Busy)；
	FCTL1 = FWKEY + WRT；
	*FLASH_PTR = val；
	While (FCTL3 & Busy)；
	FCTL1 = FWKEY； //清除WRT位
	FCTL3 = FWKEY + LOCK； // set lock bit
}

void ReadFromFlash(Char* address, char* val)
{
	char* flash_ptr；
	flash_ptr =地址；
	while (FCTL3 & busy);
	*val =*flash_ptr；
}

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2535140 points

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在这里，您可以找到仅用于写入一个字节的源代码...

https://www.embeddedrelated.com/showthread/msp430/2.0061万-1.php

如果这不是您想要的，请搜索。我相信Google会找到100个闪存写入工作示例。

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2535140 points

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请检查您的内存地址：
段D从0x1000变为0x103F
Segmend C从0x1040变为0x 107F

您正在擦除句段D (但在上面的代码中已删除注)

可变val位于段C中(0x1040！)
变量val2经过段D和段D之间的边界(0x1039..0x1042，1042，地址向上计数)
D段中的变量val3是正确的(0x1035)，因此这是您可以读取的唯一值。

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2535140 points

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一般而言，使用硬编码地址不是很好。我发现了一个更好的使徒来使用信息内存，因为链接程序知道信息内存位于何处。

尝试执行以下操作(我假设您使用CCS)：

#pragma data_section (myValue，".infoD")

int myValue；

或者，如果您有多个值要存储：

#pragma set_data_section(".infoD") 
int myValue_1； 
长myValue_2； 
char myValue_3； 
//...不超过64个字节，允许每个数据类型 
#pragma set_data_section("")

如果要写入这些值，可以按以下方式使用写函数：

WriteCharToFlash (&myValue3，char_value_to_write) 

您需要为每个数据类型使用不同的写入功能， 
但您不需要任何读取函数，只需使用该变量即可。 

我做得稍微短一点：

void writeWord(void *Flash_ptr, int value)
{
	unsigned int *tmp_ptr;//要写入，只需更改此行，您必须为每个数据类型
	FCTL3 = FWKEY；//清除锁定位
	FCTL1 = FWKEY + WRTR;//为写入操作设置WRT位
	PTR_PTR = Flash_PTR;//转换为void*至uint*
	值 //将值写入闪存
	FCTL1 = FWKEY；//清除WRT位
	FCTL3 = FWKEY + LOCK；//设置锁定位
} 

如果要擦除此句段，只需选择其中一个变量：

eraseSegment (&val_1)；


void eraseSegment (void *指针) 
｛ 
   char *seg_pointer； 

   SEG_POINTER =指针； 
   FCTL1 = FWKEY + ERASE；//设置Erase bit 
   FCTL3 = FWKEY；//清除锁定位 
   *seg_pointer = 0;//虚拟写入以擦除闪存段 
   FCTL1 = FWKEY；//清除位 
   FCTL3 = FWKEY + LOCK；//设置锁定位 
} 

我用于此目的的信息来自 
www.ti.com/.../getliterature.tsp

MSP 低功耗微控制器（参考译文帖）

MSP 低功耗微控制器（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] CCS/MSP430G2553：写入/读取信息存储器-正确的方式