[参考译文] MSP430F5437A：闪存写入时间

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https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/575350/msp430f5437a-flash-write-time

部件号：MSP430F5437A
主题中讨论的其他部件： MSP430F5438A， MSP430FR5969

我们在断路器应用中使用微控制器MSP430F5437A。我们所观察到的是，当我们使用8MHz时钟向内部闪存写入时，大约需要64ms，在此期间，如果出现只持续30毫秒的过电流，微控制器就会错过事件。为什么微电脑需要这么长的时间才能写入闪存？这是典型的。此外，在写入闪存时，微型似乎不会接受中断。是否有一种方法可以在发生中断时停止写入事件。还有什么方法可以将闪存写入时间减少到几毫秒。

以下是写入闪存的现有代码

WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD；/* Stop watch dog timer */
BIC (SFRIFG1，WDTIFG)；

while ( bit( FCTL3,busy));//等待flash忙
FCTL3 = FWKEY；//解锁内存段
FCTL1 = FWKEY+ERASE_L；//设置擦除位
*flashPtr =0;//虚拟写入以擦除闪存段
while ( bit( FCTL3,busy));//等待flash忙
FCTL1 = FWKEY+WRT_L；//设置写入操作的WRT位

//将事件数据复制到闪存
memcpy (flashPtr，flashBuffer，512)；
while ( bit( FCTL3,busy));/*等待闪存忙*/

//写入操作后锁定闪存
FCTL1 = FWKEY；
FCTL3 = FWKEY+LOG_L；

8 年多前

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2538950 points

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您好Archana：

有关典型的闪存写入和擦除时间，请参阅设备数据表中的5.43 闪存部分。无论MCLK频率如何，这些时间都是相同的。擦除闪存段是此处最长的，其最大值为32毫秒。我想你正在擦除两个单独的段，然后写入它们，因为写入在微秒范围内。当然，在写入闪存之前，您需要先擦除闪存。需要注意的是，如果您在句段边界上书写，可能会导致额外延迟。将您的写入内容与段边界对齐可以帮助您实现这一目的。

您可以在闪存期间启用一个紧急退出位，该位将退出闪存写入过程。如果在闪存写入/擦除期间确实发生退出，则内存中产生的内容可能无法预测。有关详细信息以及如何计算写入/擦除时间的信息，请参阅用户指南的"闪存控制器"部分。

如果您的应用属于数据记录性质，或者您需要更高的性能来存储数据，请参阅我们的MSP430 FRAM产品组合，它具有FRAM内存而不是闪存。 FRAM存储器可以写入类似RAM的数据，并在关机后再开机(如闪存)后保留数据。它在写入前也不需要擦除，并且具有与RAM类似的耐久性。 MSP430FR5969与MSP430F5438A类似。有关FRAM的更多信息，请参阅以下内容：www.ti.com/.../what_is_fram.page

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2538950 points

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Archana Sadhanala 说：
另外，将闪存写入时间减少到几毫秒的方法有哪些。[/QUOT]

Copy write function to RAM end从此处执行。在8 MHz MCLK上，启用智能位的块写入可超过200 KB/sec

MSP 低功耗微控制器（参考译文帖）

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