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[参考译文] MSP430FR4133：TI&#39；s复位电路版本

admin
Guru**** 2589280 points
Other Parts Discussed in Thread: MSP-FET

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/631751/msp430fr4133-ti-s-version-of-reset-circuit

部件号：

我已经看到了几个应用程序便笺，这些便笺可实现如下所示的重置电路：

这样做的确切原因是什么？ 大多数数据表仅讨论
如果计划接地，则会有一个上拉和1，1 nF (多么有趣的值)
使用SBW。
 
1，1 nF是因为编程器无法驱动更高的电容负载。
但它们能否驱动电阻负载，如R22 (有效地与之相连
从上方设计中的交流电角度接地)？

在这种情况下，R22 / C51组合可能会增加一些额外的内容
抗噪性。 但我可以确定编程器(如MSP-FET)可以
通过SBW推动这项工作？
 
或者这些东西是否有不同的原因？

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    TI__Guru**** 2589280 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    请指出此RST电路的应用手册吗？ 抗噪可能是目标，但我不敢相信它能使用R22/C51与MSP-FET成功通信。 我始终推荐《硬件工具用户指南》(SLAU278)中的图2-3。

    此致，
    Ryan
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    TI__Guru**** 2589280 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    [报价用户="Tom Dehler"]
    或者这些东西是否有不同的原因？
    [/引述]

    此处介绍MSP430 RC ...

    https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp430/f/166/p/1.8784万/723008#723008</s>72.3008万 72.3008万

    电阻器(R22)用于将复位电路与FET隔离，以实现高速SBW连接(上限值高于建议的1nF)。 FET线路直接连接到MSP430复位/SBWTDIO引脚。

    https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp430/f/166/p/17.9527万/647971#647971</s>64.7971万 64.7971万

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    TI__Guru**** 2589280 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Ryan Brown1 说：
    请指出此RST电路的应用手册吗？[/QUOT]

    这里有一个：

    http://www.ti.com/general/docs/lit/getliterature.tsp?baseLiteratureNumber=tidrax2&fileType=pdf

    有更多的略有不同的...

    [报价]我始终推荐《硬件工具用户指南》(SLAU278)中的图2-3。[/QUOT]

    这是我当前使用的(虽然不带R1，因为我使用内部R1，而带1nF到GND)。

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    TI__Guru**** 2589280 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    这证实了我的假设。 但是，我不知道为什么要提到
    应用程序使用Ryan提到的应用程序，以及我的中的其他应用程序
    第一篇文章...
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    TI__Guru**** 2589280 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    [报价用户="Tom Dehler"]

    部件号： MSP430FR4133

    我已经看到了几个应用程序便笺，这些便笺可实现如下所示的重置电路：

    这样做的确切原因是什么？ 大多数数据表仅讨论
    如果计划接地，则会有一个上拉和1，1 nF (多么有趣的值)
    使用SBW。
     
    1，1 nF是因为编程器无法驱动更高的电容负载。
    但它们能否驱动电阻负载，如R22 (有效地与之相连
    从上方设计中的交流电角度接地)？

    在这种情况下，R22 / C51组合可能会增加一些额外的内容
    抗噪性。 但我可以确定编程器 (如MSP-FET)可以
    通过SBW推动这项工作？
     
    或者这些东西是否有不同的原因？

    [/引述]

    Tom，您好！

    你是对的。  

    如果 计划使用SBW，则大多数复位电路仅围绕上拉电阻器和1.1 nF电容器接地。   
    1.1 nF是因为编程器无法驱动更高的电容负载。

    重置引脚很敏感，尤其是在ESD测试中。 在复位引脚上添加UF电平电容器可提高系统ESD性能，但会影响SBW通信。 为解决此问题，将使用您在应用手册中看到的重置电路。

    此致，

    林氏六音