[参考译文] MSP430G2553：在内存中创建一个新段，用于在计算过程中进行读/写操作

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https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/642901/msp430g2553-create-a-new-segment-in-memory-to-use-for-read-write-during-calculations

部件号：MSP430G2553

我有代码示例 msp430g2xxS 3_flashwrite_01.c正在运行并了解其中的大部分内容。我不能使用现有的INFOA-D (每个64字节)内存段，因为我需要更大的空间。因此，我尝试在INFOA结束(INFOA-D反向映射)和0xC000 (下一个项目(闪存)开始)之间的可用空间中创建新的句段。

我尝试了几种不同的方法，但都不能使用，所以我把它变得非常简单：从0x1100开始，声明一个与INFOC相同大小的新段(64字节)，并将 msp430g2xxS中的SegC地址位置3_flashwrite_01.c替换为0x1100地址。仍然无法正常工作。没有什么与原始工作示例不同，因此我得出结论，如果我选择"全部显示"，我的新句段将显示在"内存分配"下，这是不可写的。也许我只是错过了一个设置？是否有人成功创建了已写入的新句段？我可以在论坛上找到一些写动画的例子，但没有一个写新片段的例子。

在内存中创建新段：

内存
｛
/*首先我们计算*/
SFR：原点= 0x0000，长度= 0x0010
Peripherals_8bit：原始= 0x0010，长度= 0x00F0
Peripherals_16BIT：原点= 0x0100，长度= 0x0100
RAM：原点= 0x0200，长度= 0x0200

/*然后我们倒计时。在INFOC和INFOD中，代码示例在其中工作*/
INFOA：原点= 0x10C0，长度= 0x0040
INFOB：原点= 0x1080，长度= 0x0040
INFOC：原点= 0x1040，长度= 0x0040
INFOD：原点= 0x1000，长度= 0x0040

/*这是我的新内容。从0x1100 (INFOA结束)到0xC000 (RAM开始)似乎可用*/
XVSEG：原点= 0x1100，长度= 0x0040

/*这是原始资料*/
Flash：Origin = 0xC000，length = 0x3FDE

/*好的，但现在我们要倒计时了吗？ */
BSLSIGNATURE：原点= 0xFFDE，长度= 0x0002，填充= 0xFFFF
INT00：原点= 0xFFE0，长度= 0x0002
INT01：原点= 0xFFE2，长度= 0x0002
INT02：原点= 0xFFE4，长度= 0x0002
INT03：原点= 0xFFE6，长度= 0x0002
INT04：原点= 0xFFE8，长度= 0x0002
INT05：原点= 0xFFEA，长度= 0x0002
INT06：原点= 0xFFEC，长度= 0x0002
INT07：原点= 0xFFEE，长度= 0x0002
INT08：Origin = 0xFFF0，length = 0x0002
INT09：原点= 0xFFF2，长度= 0x0002
INT10：原点= 0xFFF4，长度= 0x0002
INT11：原点= 0xFFF6，长度= 0x0002
INT12：原点= 0xFFF8，长度= 0x0002
INT13：原点= 0xFFFA，长度= 0x0002
INT14：原点= 0xFFFC，长度= 0x0002
重置：原点= 0xFFFE，长度= 0x0002
}

/******************************************************************************** /
/*指定分配给内存的部分*/
/******************************************************************************** /

章节
｛
.bss :{}> RAM/*全局和静态vars */
数据:{}> RAM/*全局和静态vars */
.TI.noinit :{}> RAM /*用于#pragma noinit */
sysmem :{}> RAM/*动态内存分配区域*/
堆栈:{}> RAM (高)/*软件系统堆栈*/

text :{}> flash /* Code */
.cinit :{}> flash /* Initialization Tables */
const :{}> flash /*常量数据*/
.bslsignature :{}> BSLSIGNATURE /* BSL Signature */
CIO：{}> RAM/* C I/O Buffer */

.Pinit :{}> flash /* C++构造函数表*/
binit :{}> flash /* boot-time Initialization tables */
init_array :{}> flash /* C++构造函数表*/
.mspabi.exidx :{}> flash /* C++构造函数表*/
.mspabi.extab :{}> flash /* C++构造函数表*/
#ifdef __TI_Compiler_version__
#if __TI_Compiler_version__>= 1500.9万
#ifndef __larate_code_model__
.TI.ramfunc :{} load=flash, run=ram, table(BINIT)
#否则
.TI.ramfunc：{} load=flash | FLASH2，run=RAM，table (BINIT)
#endif
#endif
#endif

infoA :{}> INFOA /* MSP430信息闪存段*/
信息B：{}> INFOB.
INFoC :{}> INFOC.
信息D :{}> INFOD.

.xvseg :{}> XVSEG.

/* MSP430中断矢量*/
TRAPINT :{*(.int00)}> INT00类型= VECT_INIT
int01 :{}> INT01
端口1：{*(.int02)}> INT02类型= VECT_INIT
端口2：{*(.int03)}> INT03类型= VECT_INIT
int04：{}> INT04
ADC10 :{*(.int05)}> INT05类型= VECT_INIT
USCIAB0TX：{*(.int06)}> INT06类型= VECT_INIT
USCIAB0RX :{*(.int07)}> INT07类型= VECT_INIT
TIMER0_A1：{*(.int08)}> INT08类型= VECT_INIT
TIMER0_A0：{*(.int09)}> INT09类型= VECT_INIT
WDT：{*(.INT10)}> INT10类型= VECT_INIT
COMPARATORA :{*(.INT11)}> INT11 TYPE = VECT_INIT
Timer1_A1 :{*(.INT12)}> INT12类型= VECT_INIT
Timer1_A0 :{*(.INT13)}> INT13类型= VECT_INIT
NMI :{*(.INT14)}> INT14类型= VECT_INIT
.reset：{}> reset /* MSP430 Reset vector */
}

/******************************************************************************** /

-l msp430g2553.cmd

修改的源代码：

//************************************************************************************************
// MSP430G2xx3演示-闪存系统内编程，将SegC复制到SegD
//
//说明：此程序首先擦除闪存设置C，然后全部递增
// seg C中的值，然后擦除seg D，然后将seg C复制到seg D
//假定MCLK 771kHz - 1428kHz。
////*在主循环中的NOP上设置断点，以避免对Flash *//造成压力
//
// MSP430G2xx3
//-----------
///|\\| Xin|-
//||||
//--|RST XOUT|-
//||
//
// D. Dang
//德州仪器(TI)
// 2010年12月
//使用CCS版本4.2 0和IAR嵌入式工作台版本：5.10 构建
//************************************************************************************************

#include <MSP4S.h>

字符值；//要写入A段的8位值
volatile char myTemp =0；

//函数原型
void write_SegC (字符值)；
CHAR COPY_C2D (void);

内部主(无效)
｛

WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD；//停止看门狗计时器
IF (CALBC1_1MHz=0xFF)// If calibration constant erased
｛
while (1)；//不加载，捕获CPU！！
}
DCOCTL = 0；//选择最低DCOx和MODx设置
BCSCTL1 = CALC1_1MHz；//将DCO设置为1MHz
DCOCTL = CALDCO_1MHz；
FCTL2 = FWKEY + FSSEL0 + FN1；// MCLK/3，用于闪存定时发生器
值= 0；//初始化值

while (1)//永远重复
｛
Write_SegC (value++)；//写入段C，增量值
myTemp = COPY_C2D();//将段C复制到D
__no_operation()；//在此处设置断点
}
}

void write_SegC (字符值)
｛
CHAR *Flash_PTR;//闪存指针
无符号int I；

Flash_PTR =(CHAR *) 0x1100；//初始化闪存指针
FCTL1 = FWKEY + ERASE；//设置Erase bit
FCTL3 = FWKEY；//清除锁定位
*Flash_PTR =0;//虚拟写入以擦除闪存段

FCTL1 = FWKEY + WRT；//设置写入操作的WRT位

用于(i=0；i<64；i++)
｛
*Flash_PTR++=值；//将值写入闪存
}

FCTL1 = FWKEY；//清除WRT位
FCTL3 = FWKEY + LOCK；//设置锁定位
}

CHAR COPY_C2D (无效)
｛
CHAR *Flash_PTRC;//段C指针
char *Flash_ptrD;//段D指针
无符号int I；
字符温度;

FLASH_PTRC =(CHAR *) 0x1100；//初始化闪存段C指针
flash_ptrD =(char *) 0x1000；//初始化闪存段D指针
FCTL1 = FWKEY + ERASE；//设置Erase bit
FCTL3 = FWKEY；//清除锁定位
*Flash_ptrD = 0;//虚拟写入以擦除闪存段D
FCTL1 = FWKEY + WRT；//设置写入操作的WRT位

用于(i=0；i<64；i++)
｛
*Flash_ptrD++=*Flash_PTRC+;//将值段C复制到段D
}

temp =*Flash_ptrD-;

FCTL1 = FWKEY；//清除WRT位
FCTL3 = FWKEY + LOCK；//设置锁定位

回流温度；
}

8 年多前

0 admin 8 年多前

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