[参考译文] CCS/MSP432P401R：如何使用两个扇区对闪存进行编程？

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/641721/ccs-msp432p401r-how-can-i-program-the-flash-memory-using-both-2-sectors

工具/软件：Code Composer Studio

你好。

我正在尝试对闪存进行编程，但数据大小与6 KB 有关，

所以我必须在 闪存主存储器中使用两个扇区(扇区30，31)。

但它不起作用.... 控制台说“内存不足”

这些是我的代码。

#define calibration_Start1 0x0003E000

unsigned int AdjMatrix [40][40]={...}

int main (void)
｛

//![FlashCtl程序]
/* Unprotecting Info Bank 0，Sector 0 */
MAP_Flashctl_unprotectSector (FLASH_MAIN_MEMORY_SPACE_BANK1，FLASH_SECTOR31)；
MAP_Flashctl_unprotectSector (FLASH_MAIN_MEMORY_SPACE_BANK1，FLASH_SECTOR30)；



/*正在尝试擦除扇区。 在此函数中，API将
自动尝试清除最大尝试次数。 如果失败，
在无限循环中捕获*/
IF (！MAP_FlashCtl_eraseSector (CALIBRATION_Start1))
同时(1)；

/*正在尝试对内存进行编程。 在此函数中，API将
自动尝试设定最大尝试次数。 如果失败，
在无限循环内陷印*/
IF(!MAP_FlashCTL_programMemory(AdjMatrix，(void*) calibration_Start1, sizeof (AdjMatrix ))
同时(1)；


unsigned int (*A_PTR)[40]= calibration_Start1;

/*将扇区设置回受保护的*/
MAP_FlashCTL_ProtectSector(FLASH_MAIN_MEMORY_SPACE_BANK1,FLASH_SECTOR31)；
MAP_FlashCTL_ProtectSector(FLASH_MAIN_MEMORY_SPACE_BANK1,FLASH_SECTOR30);...


}