[参考译文] CCS/MSP432P401R：如何使用输入文件进行闪存编程

您好，

1. array[]位于input.h文件中，所以我将 头文件包含在main.c中，我在那里 编写了Flash编程代码。[/QUOT]

 请将const关键字添加到 变量中(请不要 在头文件中声明它) ，例如：

const int array []=｛0，1，2，3，4，5，6，7，8，9｝； 

限定为const的全局对象放置在.const部分中。 链接程序从ROM或闪存分配.const部分。

[报价用户="yeonjoon Han ]2. 在闪存编程中，仅使用闪存组1，扇区 31。[/QUOT]

MSP432P401x MCU上的闪存主存储器最高可达256 KB。 闪存主存储器由多达64个4 KB 扇区组成，最小擦除粒度为4 KB (1个扇区)。 主存储器可被视为两个独立的相同存储器，每个存储器的容量最高为128 KB ，允许在另一个存储器正在进行程序或擦除操作时从一个存储器同时读取或执行。

yeonjoon Han 说：

有时，我想移动比闪存大小更大的数据.....[/QUOT]

比4 KB 大？ 还是大于128 KB ？ 请您更具体一点吗？

 谢谢！

   David

感谢你的帮助。 还有几个问题。

1.数据大于4 KB。

数据大小几乎是32 KB ...我的意思是我可以 在 路上擦除其他扇区吗？

我认为闪存主存储器中有一些重要数据，所以我不能将它们擦除。

2.能否在其他功能中进行闪存编程，而不能在主功能中进行闪存编程？

我要移动在int calculation(int a, int b ){...}中定义的“int matrix[50][50]" 闪存。

所以我 在计算函数中写了闪存编程代码，但它不起作用... ：(