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[参考译文] MSP430F5438A：永久闪存损坏

admin
Guru**** 2614265 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/666085/msp430f5438a-permanent-flash-damage

部件号：MSP430F5438A
主题中讨论的其他部件：MSP-Gang

您好，

在写入/读取/擦除操作过程中，闪存是否可能由于断电而永久损坏？

对于"永久损坏"，我的意思是在硬件级别永久丢失功能->无法再次写入/数据不稳定/等...

此致，

Mário

  • 0
    TI__Guru**** 2614265 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    5xx闪存系列支持边际读取模式，可提供有关无法擦除/写入的任何内存位置的信息。 slau208 MSP430x5xx和MSP430x6xx系列用户指南 中有7.3 5部分...

    要获得较弱内存单元的早期指示，可与一起读取闪存
    特定于设备的边缘读取模式。 边缘读取模式由FCTL4.MRG0和控制
    FCTL4.MRG1寄存器位(如果可用)(特定于设备)。 在边缘读取模式下，轻微
    可以检测到编程的闪存位位置。 一种识别此类内存的方法
    位置将定期对闪存的一部分执行校验和计算(对于
    例如，闪存段)，并在启用边际读取模式的情况下重复此过程。 如果有
    不匹配，可能表示闪存位置编程不足。 可以刷新
    通过禁用边际读取模式，复制到RAM，擦除闪存来受影响的闪存段
    数据段，并从RAM中回写。

    检查闪存内容的程序必须从RAM执行。 正在执行闪存中的代码
    自动禁用边际读取模式。 边缘读取模式由MRG0和控制
    MRG1寄存器位。 设置MRG1用于检测未充分编程的包含"1"的闪存单元
    (擦除位)。 设置MRG0用于检测未充分编程的包含“0”的闪存单元
    (编程位)。 一次只能设置其中一个位。 因此，需要进行全面的边缘读取检查
    需要两次检查闪存内容的完整性。 在边缘读取模式下，
    闪存访问速度(MCLK)必须限制为1 MHz (请参阅特定于设备的数据表)。

  • 0
    TI__Guru**** 2614265 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    感谢您的回复。
    我知道边际读取模式。
    我的问题不是如何检测编程较弱的单元，我的问题是，在写入/擦除操作过程中，如果断电，可能会导致永久性损坏(无法通过擦除和再次写入数据来解决)。
  • 0
    TI__Guru**** 2614265 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    我为自己的MSP430闪光灯(类似MSP组)开发了(软件和硬件)。 在开发/测试过程中，目标设备会发生许多不良情况，例如过压，欠压，写入/擦除速度过快或过慢，包括写入/擦除操作期间的中断。 任何你能想到的。 但是，今天，所有这些目标设备的闪存都是正常的。 边际读取错误空闲。 所以我对你的问题的回答是，我不能对闪光造成永久性伤害，即使我真的很努力。

    编辑：顺便说一句，最大的压力是在两个5435 (非A)样品上(离我最近的设备，与主题相关)。 我现在根本不知道它们是如何运作的。 

    D:\MSP430>flash -p com15 -f test_msp430f5435_fr.txt -e -ws -v -crcr -MRR

文件：“test_msp430f5435_fr.txt
”地址：01C00字：10.6496万
大小： 21.2992万字节

获取设备
# JTID保险丝设备核心硬软LotWafer DieX DieY
2 91 OK 5435 0100 10 ADE9.8146万 0400 2000
3 91 OK 5435 0100 10 ADE98146 0A002100

擦除

写入智能
时间：1084毫秒速度：191，9 KB

验证
时间：955毫秒速度： 217，CRC/s 6 KB

修订
文件#2 #33802
3802
时间：113 ms速度：1.827 ，CRC/s 6 KB

边际读取修订
模式文件#2 #3
03802 3802 3802 13802
3802 3802
时间：2159 ms速度：96，3 KB

/ s发布设备

总时间：4625 ms

D：\MSP430>
  • 0
    TI__Guru**** 2614265 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    非常感谢您的分享。
    我的经验也和你说的一样。 我使用微控制器已经有一段时间了，我还开发了JTAG和系统编程器(用于MSP430和ARMS M4)，我从未能够永久损坏闪存。

    我真的很想知道(TI)对此的官方回答是什么。
    擦除/写入操作过程中的电源中断是否可能导致闪存永久损坏？

    此致，
    Mário
  • 0
    TI__Guru**** 2614265 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    我不是TI。 但逻辑会决定任何事情都是可能的，无论多么遥远。

    因此，我怀疑您是否确实听到了TI对此的回应-我非常怀疑，他们的答案是肯定的。

    因为相反的情况是不可想象的。
  • 0
    TI__Guru**** 2614265 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好Mário：

    否，只要设备在设备数据表中列出的所有参数范围内运行，则擦除/写入操作期间不会因电源中断而损坏闪存。

    此致，
    Nathan