[参考译文] MSP430F6779：从RAM而不是闪存执行代码时的功耗

您好，Joe，

其实我不这么认为。 电流将下降如此之多。

1.我认为您的设备将进入LPM模式。 如果时间太长。 您不会发现它对您的功耗有太大帮助。 您可以使用下图计算帮助。

2.  MSP430F6779的RAM非常小，您不能将大型代码放入RAM。 通常，将代码放入RAM的人是用于高速代码运行的。  

3.如果您遇到功耗问题，我建议您完全使用低功耗模式，并更改代码策略，使活动时间更短。

Eason

您好，Eason：

感谢您的回复！

按照您的回答第1点，您是否说RAM中的代码将快速执行，然后设备将进入静态电源/断电模式，这样随着时间的推移，任何当前节省的费用都会降至最低？

如果设备始终处于活动模式并在运行，该怎么办？ 如果Joe能够完全从RAM执行，他的功耗说法是否正确？

谢谢！

雅各布

1.是的，它可以节省一些电量，在RAM上读取代码的速度比在闪存上更快。 但是，我不确定MSP430闪存器件是否具有高速缓存。 它有助于提高从闪存加载代码时的速度。  

2.功耗断言的含义是什么？ 我认为您需要考虑电源模块和外设的功耗。  

您好，Eason：

感谢您的跟进。 对于项目(1)，感谢您的确认。 现在了解到，如果您通过RAM更快地执行代码，它将允许您快速进入静态电源状态。

但是，我认为这与(2)功耗点有关。  

在这里考虑的应用中，我不相信会使用"静态电源"模式。 对于预期应用和"功耗断言"注释，我们正在查看始终在"活动模式"下运行的设备。

如果我们始终在下面圈出的区域内工作(无断电/低功率模式)，那么我们是否会这样断言  

RAM执行 代码我们预计闪存的功耗为100%½/quote-offer[引用]

那么正确吗？

我想它会比1/2稍高一点。 您还需要考虑外围设备功耗。

您好，Eason，

感谢您的回答。  

你之前 也写过： 是的，它可以节省一些电量，在RAM上读取代码的速度比闪存快。 但是，我不确定MSP430闪存器件是否具有高速缓存。 它有助于提高从闪存加载代码时的速度。  

请澄清以下事项：

1)从RAM运行代码的速度是否比从Flash更快？

1) RAM和闪存之间的速度或定时有何区别？

谢谢

乔

1)是。 从RAM运行代码比从闪存运行代码更快。 关于缓存的影响，我不知道它将如何提供帮助的太多详细信息。 我建议您进行测试。

2)此处是闪存控制器的时钟频率。 对于RAM，我假定它可以达到最大时钟速度(25MHz)。

您好，

1)您是否认为闪存访问速度为1 MHz？  RAM可能高达25MHz？

2)您提到了缓存。 我在数据表中看不到 MSP430具有或使用高速缓存的任何指示。

乔

您好，Joe，

1.对不起，我认为我对RAM和闪存读取做出了错误的回答，请参阅以下内容：

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/108.4889万/msp430f6779-ram-v-flash-access-speeds?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=MSP<xmt-block0>6779430 % 20flash%20speed#

2.我还与我们的同事确认一下，数据表中的速度并不意味着闪存时钟。 如我所知，对于当前的TI闪存MCU，它可以支持高达24MHz的闪存时钟速度。 我可能猜MSP430中的闪存也可以达到最大CPU速度。  

Eason