Other Parts Discussed in Thread: MSP430FR2533
在Captivate技术指南中，规定了A类抗扰性，并预计在3 VRMS下使用相互电容按钮。
我们希望基于相互电容按钮制定一个解决方案，该解决方案必须在10VRMS下完全正常工作。
如果可以访问，是否有任何经验。
我们使用Captivate EVM进行了一些测试，并添加了一个地面平面，提高了抗辐射能力。
我希望有人能分享他们使相互电容更具抗扰性的经验，或者确认 使用相互电容按钮可以真正达到10VRMS抗扰性。
Tom，您好！
感谢您对MSP430FR2533器件进行评估。 首先，让我澄清一下您是测试传导抗扰性还是辐射抗扰性。 您在帖子中提到辐射抗扰性，但应力水平(3Vrms，10Vrms)是传导抗扰性应力水平规格。 传导抗扰性应力水平通常以RMS伏特为单位，而辐射抗扰性测试则以电场强度(每米伏特)为单位。 通常对于电容感应接口而言，通过测试的难度较大的是线路供电应用的传导抗扰性。 测试之间的区别是基于所测试的频率，因为在100kHz-10的MHz范围内，所需的天线会非常大-因此噪音通过其电源线直接耦合到被测试设备。 那么，更好的问题是您是通过耦合网络测试低于80 MHz的频率，还是通过天线测试高于80 MHz的频率？
从传导抗扰性角度来看，3Vrms指南基于IEC 6.1万-4-6，噪声通过耦合去耦合网络直接耦合到MCU直流电源。 如果您拥有一个有助于阻止共模电流的高质量电源，则10Vrms是可以实现的。 直流和交流电源喷射点之间的性能差异可能非常显著。 除了电源，布局和电极设计等其他因素也会发挥作用。
我建议您查看我们的EMC参考设计-其中有许多非常好的材料，以及许多详细的测试数据，这些数据说明了相互模式噪声抗扰性如何随不同的电源拓扑而变化。 如果您有任何问题，请告诉我，我很乐意回答。
如果您是专门询问辐射辐射辐射而不是传导辐射，那么问题是该设计能否在较高频率范围内承受10 V/m的电场。 Captivate就其电荷传输机制的性质而言，看起来非常像低通滤波器。 电极阻抗与IO电容相结合，形成低通滤波器，可衰减更高频率的噪声。 此外，我们还具有可提高性能的跳频功能。 最终，为抗噪性而设计的PCB布局至关重要。 这是您提到的添加接地屏蔽非常重要的地方。 如果您查看上述参考设计，您会发现一个32按钮互电容布局，它利用实心接地平面进行屏蔽。 这增加了寄生电容，但显著提高了抗噪性。 此外，我们在每个RX和MCU附近的电路接地之间填充离散68pF电容器，以降低频率中的磁化率带。
上述文档中讨论的传导抗扰性的许多原则也适用于辐射抗扰性。
此致，
沃尔特
