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部件号：MSP430F5529 大家好，
以下是客户提出的问题，可能需要您的帮助：
数据的大小接近2 KB ，并存储在闪存中。
我们的客户希望在对MSP430F5529重新编程时保留它。
如果没有，是否有其他方法保留这些数据。
谢谢。
此致，
耶鲁
大家好，
以下是客户提出的问题，可能需要您的帮助：
数据的大小接近2 KB ，并存储在闪存中。
我们的客户希望在对MSP430F5529重新编程时保留它。
如果没有，是否有其他方法保留这些数据。
谢谢。
此致，
耶鲁
大家好，
下面是一个跟进问题：
此客户在尝试将数据写入闪存时出错，并且重复出现的可能性为100 %。
他提到了MSP430F55xx_flashwrite_01.c演示，下面是他的代码。
#include <msp430f5529.h>
char value; // 8-bit value to write to seg C
// Function prototypes
void write_BankA(char value);
void copy_C2D(void);
int main(void)
{
WDTCTL = WDTPW+WDTHOLD; // Stop WDT
value = 1; // initialize value
write_BankA(value++); // Write Bank A, increment value
// copy_C2D(); // Copy segment C to D
__no_operation(); // Loop forever, SET BREAKPOINT HERE
while(1);
}
//------------------------------------------------------------------------------
// Input = value, holds value to write to Bank A
//------------------------------------------------------------------------------
void write_BankA(char value)
{
unsigned int i;
char * Flash_ptr; // Initialize Flash pointer
Flash_ptr = (char *) 0x4400; // Bank A address
FCTL3 = FWKEY; // Clear Lock bit
FCTL1 = FWKEY+ERASE; // Set Erase bit
_DINT(); //no interrupt
*Flash_ptr = 0; // Dummy write to erase Flash seg
FCTL1 = FWKEY+WRT; // Set WRT bit for write operation
for (i = 0; i < 128; i++)
{
*Flash_ptr++ = value; // Write value to flash
}
while(FCTL3 & BUSY);
_EINT();
FCTL1 = FWKEY; // Clear WRT bit
FCTL3 = FWKEY+LOCK; // Set LOCK bit
}
重现步骤
1.在IAR中编译代码
2.下载和调试
3.按“执行”，然后报告错误
错误屏幕截图
环境与 平台
Windows10+IAR 7.12 ．1.8
您好，Gary
感谢您的回答。
我问了客户，他在板上使用了EZ-FET lite。
我刚刚注意到第二个屏幕截图不清楚，下面是一个清晰的屏幕截图。 很抱歉。
正如您所看到的，内存地址0x443B未被擦除后的数据。 这就是为什么它不能写入数据的原因。
我建议客户可以在虚拟写入后进行一些延迟以擦除闪存并在此处设置一个中断点，以查看是否已成功擦除内存。