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[参考译文] MSP430F5529:在 EDB 结构中使用 UBM 备用字段是否安全?

Guru**** 2595805 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/1058549/msp430f5529-is-it-safe-to-use-the-ubm-spare-fields-in-edb-structure

器件型号:MSP430F5529

在 MCU 数据表中、为每个端点的端点数据缓冲描述符定义的寄存器中似乎存在一个空白(例如、USBOEPBCTX_n 和 USBOEPBBAY_n 之间)。  在 MSP430USBDevelopersPackage 中、在 defMSP430USB.h 中、tEDB 结构具有这两个被定义为字段 bSPARE0和 bSPARE1的字节。  这两个字节实际上是由 UBM 在内部使用、还是在 UBM 启用并使用时由应用程序可靠地用作 RAM?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    UBM 不会使用 USB RAM 内的所有备用值(无论启用还是禁用 USB、等等)。 有免费的使用方法(我在 F550x 中使用了所有这些方法)。 请注意对齐、因为(如果我记住正确的话)其中一些从奇数地址开始、并且只能用于8位变量。 只需注意、由于双端口性质、访问 USB RAM 比非 USB RAM 花费更多的周期。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    好的、听得非常好。  非常感谢您的确认、并感谢您提供的实用注意事项。