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[参考译文] MSP430F5529：如何读取存储器数据输出

admin
Guru**** 2595160 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/1061707/msp430f5529-how-to-read-the-memory-data-output

器件型号：MSP430F5529

大家好、

客户希望使用 msp430f5529lp 首先在闪存中存储一个由01个数据组成的字符串、然后在闪存中读取该数据串、以便通过引脚高电平和低电平输出。 客户想知道是否有任何例程可以引用或、 是否有任何有关如何读取存储器数据输出的例程？

您可以帮助解决此问题吗？ 谢谢。

此致、

樱桃

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    TI__Guru**** 2595160 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    数据是在编译时放入 MCU 中、还是要在字段中存储序列？

  • 0
    TI__Guru**** 2595160 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！尊敬的：

    很抱歉、我只是听到终端客户的反馈：

    它们打算写入闪存存储器、并将引脚设置为读取这些01序列以输出高电平和低电平。

    谢谢、此致、

    樱桃

  • 0
    TI__Guru**** 2595160 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    这应该非常简单。

    假设数据存储在一个字节数组中、以下伪代码应该起作用：

    如果(INPUT_Pin =高电平)

    ｛

      (i=0；<num_bytes; i++)

      ｛

         对于(b=0；b<8；b++)

         ｛

            OUT_Pin =(DATA[i]&(<b));

         ｝

      ｝

    ｝

    (编辑为更改逻辑和按位、和)