大家好、
我在内部 DCO 晶体的校准数据方面有问题。
我们使用具有8MHz DCO 的 MSP430F2232器件。 在生产最终测试中、新闪存发货中的多个器件在时序问题上失败。
我们对该误差进行了局部化处理、发现在写保护信息区域内刷写8MHz DCO 的错误校准数据。
生产从几年以来一直在进行、直到现在、我们都没有问题。 我们检查了信息区域、它已被加亮、表明我们在闪烁时不触摸此区域。
请就此主题提供帮助吗？ 有关校准数据的更多信息会有所帮助。 在 TI 生产线上刷写校准数据时是否可能存在问题？
如果有用、我可以在此处发布数据代码。
有关详细信息、请参阅两个附加的图像：
(图1：MSP 数据表/图2的表14：校准数据比较-刷写良好和不良的 MSP)
此致、非常感谢您的帮助
您好、Max、
如果您有可用的 GPIO、您能否直接在 GPIO 上输出时钟信号并进行测量？ 此外、您能否共享用于配置时钟和加载校准值的代码？
至于您对 TLV 数据的解码、我认为它是正确的。 虽然这些值看起来非常不同、但实际上很难说它们之间的距离是否非常远。 该值在 RSEL 中下降一级、但在 DCOx 中上升3级、因此会产生一些取消效果。 RSELx 曲线之间存在一些重叠。
根据用户指南：
以及 F22x2数据表中的以下内容：
我们不指定 RSELx 的典型步长、但仅举个例子、假设 RSELx 的平均步长约为35%、DCOx 为~ 10%。 (MODx 为~DCOx/32、或 每个为~.3%)。 因此、您可以看到、从技术上讲、有相当多的解决方案可以达到相同的近似频率。
因此、对于上面列出的8MHz、它会下降1个 RELX (例如：~-35%)、但随后会恢复几乎3倍的 DCOx 步长(例如：~+33%)。 因此它们实际上可能非常接近。
当然、所有这些步长和频率可能因器件而异、因此我不希望任何两个器件具有完全匹配的校准数。
如果我对其余的校准值进行解码、并且基本上做得好-坏、这些是我看到的大约 MODx 增量：
因此、坏单元的校准设置确实较低、但与"好"单元相比、不同频率之间的分组看起来相当接近。 我假设由于这些值较低、因此该单元中的内部振荡器默认运行速度稍快、并且会进行补偿。
谢谢、
JD
