主题中讨论的其他器件:MSP-FET
您好!
问题1
该 μs 指出、"当电源电压变化为±0.05V/μ s 或更高时、BOR 复位。"
突然功率上升导致的 BOR 复位是否具有任何其他影响?
问题2.
"当使用 MSP-FET 时、将47kΩ Ω 和2.2uF CR 复位电路连接到 RST 端子、"文档中提到。
如果不使用 MSP-FET、MSP430能否通过增加 CR 复位电路的常数(例如470kΩ μ F、0.1uF)正常启动?
如果您有任何问题、请告诉我。
谢谢、
科基
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您好!
问题1
该 μs 指出、"当电源电压变化为±0.05V/μ s 或更高时、BOR 复位。"
突然功率上升导致的 BOR 复位是否具有任何其他影响?
问题2.
"当使用 MSP-FET 时、将47kΩ Ω 和2.2uF CR 复位电路连接到 RST 端子、"文档中提到。
如果不使用 MSP-FET、MSP430能否通过增加 CR 复位电路的常数(例如470kΩ μ F、0.1uF)正常启动?
如果您有任何问题、请告诉我。
谢谢、
科基
问题2.
"当使用 MSP-FET 时、将47kΩ Ω 和2.2uF CR 复位电路连接到 RST 端子、"文档中提到。
如果不使用 MSP-FET、MSP430能否通过增加 CR 复位电路的常数(例如470kΩ μ F、0.1uF)正常启动?
如果您有任何问题、请告诉我。
[/报价]作为 SBW 目标的 FRAM 器件不需要在 RESET 引脚上使用任何电阻器/电容器组合(存在内部上拉电阻器、并且电容器只是干扰因素、因为开关 SBW 双向逻辑信号正在与之发生战斗)。 TI 建议使用47k 和1nF (而非 UF)。 如果器 件未在设置中与 SBW 主器件一起使用、则可以使用任何电容器/电阻器组合(确保在嘈杂环境中正确启动)。