[参考译文] MSP430F2131：X 射线曝光导致的存储器问题

大家好、David、  

感谢您提出问题。 对于易失性存储器、DDR RAM、SRAM 等、X 射线应该是导致数据错误的问题。 这只是一个一般概念：对于 NAND 闪存等非易失性存储器、有报告说50射线曝光可能会引起错误；但 NOR 闪存对于 XRAY 曝光而言比 NAND 闪存更加稳健。  

MSP430F2131代码保存在 NOR 闪存中。 因此、它比 NAND 闪存 MCU 更适合 X 射线抗扰度。 但我们没有针对 Xray 的 MSP430F2131的测试数据。 也许我可以与团队一起检查 MSP430闪存 X 射线抗扰度是否有类似的常规测试。 如果有更多信息、我明天会回来。  

谢谢、  

Lixin  

大家好、David、  

我有一个问题：您的客户是否对 MSP430F2131 FLAHS X 射线抗扰度或 SRAM 抗扰度有疑问？ 客户产品是否能在 X 射线曝光中工作？  

这是我的问题： 如果 X 射线强度较高、由于 SRAM 数据损坏、MCU 将异常运行。 这是因为 SRAM 将具有临时数据和堆栈数据。 用于 X 射线抗扰性的 SRAM 级别低于 NOR 闪存。

因此、最好清楚产品是否会在 X 射线曝光中运行。  

谢谢、  

Lixin  

他们只是想了解我们的 NOR 闪存有多容易受到影响。  他们在组装检查期间仅使用 Xray、他们需要知道闪存可以处理的 RAD 级别。  这是紧急情况。  谢谢。