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[参考译文] TSS521:有关附加 MOSFET 的问题

Guru**** 2519770 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/965180/tss521-question-about-the-additional-mosfet

器件型号:TSS521

团队、

根据数据表中的图9使用器件(基本光耦合器应用)。 C_STC = 150uF、R_RIDD = 20kr。

数据表中的图6示例。 (具有支持电容器 C_STC > 50uF 的基本应用电路)添加了一个 P-FET、BSS84类型、引脚3和 C_STC 之间并联。

几个问题:

  1. BSS84的功能是什么?
  2. 在哪些情况下需要它?
  3. 此 FET 的存在如何影响压降(低于12V 的持续时间超过0.1秒)后的再生时间(恢复到完全通信能力)?

谢谢你。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Bart、

    由于该器件不是 MSP430、请让我看看我是否可以找到人来帮助您解决问题。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Bart、

      如果 电容器大于50uF、则需要将 BSS84 (PMOS)与 STC 电容器串联。  −−满足 M Ω 总线标准的最大启动时间要求。 电压下降到多低? 如果 Vstc 不受影响、则没有差异。

    此致、

    Hao