您好!
我正在尝试了解 SD 卡是否有低功耗选项。 在互联网中、我可以看到、写入数据时 SD 卡消耗60-100mA 的电流。 因此、我认为可能可以使用其他类型的 RAM (即使不是永久性的)、但它必须具有非常低的功耗。 我尝试阅读有关 FRAM 的内容、但是否有具有1Gb 或更多 RAM 的低功耗 MCU?
对于使用3-3.6V 锂聚合物电池的项目、我需要它。
您能给我指正确的方向吗?
另一种选择是使用蓝牙、但我想 Tx 的功耗大致相同(考虑到它将发送大量数据)。
谢谢你。
Alex
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您好!
我正在尝试了解 SD 卡是否有低功耗选项。 在互联网中、我可以看到、写入数据时 SD 卡消耗60-100mA 的电流。 因此、我认为可能可以使用其他类型的 RAM (即使不是永久性的)、但它必须具有非常低的功耗。 我尝试阅读有关 FRAM 的内容、但是否有具有1Gb 或更多 RAM 的低功耗 MCU?
对于使用3-3.6V 锂聚合物电池的项目、我需要它。
您能给我指正确的方向吗?
另一种选择是使用蓝牙、但我想 Tx 的功耗大致相同(考虑到它将发送大量数据)。
谢谢你。
Alex
现在、我发现了这个 Macronix 闪存、 这似乎是我所需要的:
"MX25R6435F 是64MB 串行 NOR 闪存、在内部配置为8、388、608 x 8。 当它处于四 I/O 模式时、结构变为16、777、216位 x 4或33、554、432位 x 2。 MX25R6435F 具有串行外设接口和软件协议、可在单 I/O 模式下在简单的3线总线上运行。 三个总线信号是时钟输入(SCLK)、串行数据输入(SI)和串行数据输出(SO)。 对器件的串行访问由 CS#输入启用。 当它处于两个 I/O 读取模式时、SI 引脚和 SO 引脚成为用于地址/虚拟位输入和数据输出的 SIO0引脚和 SIO1引脚。 当它处于四个 I/O 读取模式时、SI 引脚、SO 引脚、WP#引脚和 RESET#/HOLD#引脚变为 SIO0引脚、SIO1引脚、SiO2引脚和 SIO3引脚、用于地址/虚拟位输入和数据输出。'
您能不能告诉我们是否可以使用 MSP430FR2111 MCU 进行操作。 我有两个疑问:
谢谢你。
1)这些是指四 SPI 模式、该模式使用多条并行(2或4条)数据线、通常通过采用其他引脚之外的一些数据线。 据我所知、MSP430或 MSP432P 中没有一个支持此功能。 (在软件中执行它可能是净损失。) MSP432E 系列在其 QSSI 中确实支持此功能。
2) 2) 80MHz 是指最大 SPI (时钟)速率。 您可以运行低至(接近) 0Hz 的 SPI。
Micron 生产1Gb SPI NOR 闪存(MT25TL01GBBB8ESF-0AAT)、但价格有点贵。 它声称~25mA 有电流、35uA 无电流。 [这是存在证明,而不是建议。]
NAND 闪存的每字节比 NOR 便宜得多、但使用起来更复杂。 Micron、Winbond、ISSI 和 Toshiba (以及其他公司、毫无疑问)都能实现这些功能。
您将需要平衡尺寸/价格/功率/复杂性。 Mouser 或 DigiKey 的搜索工具可在此处提供帮助。