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[参考译文] MSP430FR2355：FRAM 写入周期耐用性和 ECC

admin
Guru**** 2539500 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/913819/msp430fr2355-fram-write-cycle-durability-and-ecc

器件型号：MSP430FR2355

各位专家、您好！

我对客户的读写耐久性和 ECC 有疑问。

1.读写耐久性
  客户计划每秒读取和写入大约200字节的数据。
  如果他们将使用15年，读写次数将是；
  200 (字节) x 60 (秒) x 60 (分钟) x 24 (小时) x 365 (天) x15 (年)~= 9.46 x 10^10
  读写耐久度为10^15 (min)、那么我们能否判断 FRAM 的高亮度是否足以满足此用例的要求？

FRAM ECC
  当 FRAM 检测到 UBDIFG 时、我们应该怎么做？
  没有什么可做的、因为它可能是程序领域？
  此外、当 FRAM 检测到可纠正的位时、我们需要执行什么操作？  
它是自动校正吗？

谢谢、此致、
Ryo Akashi
  • 0
    TI__Guru**** 2539500 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    [引用用户="Ryo Akashi"]

    1.读写耐久性
      客户计划每秒读取和写入大约200字节的数据。
      如果他们将使用15年，读写次数将是；
      200 (字节) x 60 (秒) x 60 (分钟) x 24 (小时) x 365 (天) x15 (年)~= 9.46 x 10^10
      读写耐久度为10^15 (min)、那么我们能否判断 FRAM 的高亮度是否足以满足此用例的要求？

    [/报价]

    FRAM 的耐久度为10^15取决于位单元操作。 对于您的应用、200字节将分布在多个 FRAM 位单元上、因此您的估计值不应乘以200。 这等于~473、040、000个周期、远小于10^15。 这假设您不会使用任何类型的磨损矫正算法来减少每个位单元的周期数、但我认为这在这里不是必需的。

    有关 FRAM 的更多信息、您可以参考以下资源。

    MSP430 FRAM 质量和可靠性

    MSP430 FRAM 技术–操作方法和最佳实践

    FRAM 常见问题解答

    [引用用户="Ryo Akashi"]

    FRAM ECC
      当 FRAM 检测到 UBDIFG 时、我们应该怎么做？
      没有什么可做的、因为它可能是程序领域？
      此外、当 FRAM 检测到可纠正的位时、我们需要执行什么操作？  
    它是自动校正吗？

    [/报价]

    FRAM 支持位纠错和不可纠正的位错误检测。 如果在 FRAM 错误检测逻辑中检测到不可纠正的位错误、则 FRAM 不可纠正的位错误标志(UBDIFG)置1。 如果检测到可纠正的位错误并进行了纠正、FRAM 可纠正的位错误标志(CBDIFG)就会被置位。 如果检测到不可纠正的位错误、UBDRSTEN 使能上电清零(PUC)复位；如果检测到不可纠正的位错误、UBDIE 使能 NMI 事件。 如果检测到无足轻重的可纠正位错误并进行了纠正、CBDIE 将启用 NMI。

    此致、

    James