[参考译文] MSP430F5342：睡眠时电流斜升。 我的勘误表是否在 P7/8上正确完成？

您好！

我在问题号 PORT24 https://www.ti.com/lit/pdf/slaz278中找到了勘误表

也就是说、您需要为 所有端口端接浮点焊盘、而不仅仅是 P7和 P8。 它仅影响 采用48引脚 RGZ 封装的 MSP430F534x 器件。 这可能会对您有所帮助。  

此致、

现金 Hao

谢谢。 所有(剩余)端口的输出都设置为低电平、例如 SPI 或 XTAL 上的一些例外情况。

"FSR"只是一个力感应电阻 器、这些端口在不使用或睡眠时也设置为输出低电平。 它在静止时的电阻非常高。  

我们还使用芯片的内部基准来测量电池电压(CR 2032)、这可能是配置泄漏。  这是原理图。 我过去使用过470nF 的 VCORE、似乎无关紧要。

我之所以选择处理器作为目标、是因为我使用1欧姆电阻器代替线圈来隔离电路板的4个部分电源。 运动传感器 也处于睡眠状态、只有在摇晃时才会唤醒 、因此在睡眠时确实使用了其中的一部分27uA。 处理器只有基础知识、可以观察运动中断。 关键是、它能够执行总共27uA 的睡眠系统、但如果你看它有趣的话、它不会... 我认为卷曲会对一些人有所帮助、肯定会洗澡... 助焊剂残留物非常敏感、因此请非常小心地保持电路板清洁。 这是正常的吗？    

我会在接下来的时间添加更多信息...

谢谢！

您好！

MCU 不应如此脆弱。 我想检查 XTAL。 您能否提供 X1的器件型号？ 您能否在没有 X1的情况下测试电路板、只需使用内部时钟源即可。  

此致、

现金 Hao

通道、

这是晶振 ECS-.327-7-1210-TR。 它仅指定 0.1uW - 0.5uW 的驱动电平。 专为低功耗可穿戴设备而设计。

https://ecsxtal.com/store/pdf/ECX-1210.pdf

我将尝试进行无晶振测试。  某些晶体是否泄漏到规格之外、例如可能焊料太热？ 但这不是一个石头吗？ 我认为上限更有可能。 但请记住、这是使用相同的器件型号、甚至不同的器件订单以及不同的布局进行的。 可能1/5会按设计进入睡眠状态。 没有愚蠢的想法。  

这是布局的这一部分、如果它很重要。 这是一个2层电路板、晶体下方没有布线。 我在我的上使用7pF 电容器(器件型号中为7)。  

 

我们按照您的建议使用内部晶体进行了测试并将其移除。 没有变化、晶体没有变化。 我们还移除了内部 VREF (电池监控器)、但仍然相同。

在我的 Fluke 上、这 款设备在49uA 时休眠了大约200ms、然后在大约5s 的时间内开始呈斜坡曲线上升到大约300uA。 尽管我们几乎可以确定所有未使用的端口都输出低电平、 但浮点端口的外观(想象中)是否如此？ 因此、我将再次对我们实施的该 Port24勘误表提出疑问。 我们是否遗漏了任何东西？

欢迎所有创意！

供参考、晶体旁路不起作用(可能有需要关闭的驱动器？)。  但是、重新焊接新的、使其符合规格。 除非我做错了，或者加热区域做了其他事情，否则这些陈述都不能成立-将会核实。  如果晶振的焊料接触不良、处理器是否会更难驱动晶振？

我有一种有趣的感觉、我将要学习更多有关晶体的知识。  

您好！

[引用 userid="256096" URL"~/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/1165003/msp430f5342-current-ramps-while-sleeping-is-my-errata-done-correctly-on-p7-8/4384750 #4384750"] 如果晶振的焊料接触不良，处理器是否会更难驱动？[/quot]

如果焊接不符合我的理解、则可能会导致更多的电流消耗。

[引用 userid="256096" URL"~/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/1165003/msp430f5342-current-ramps-while-sleeping-is-my-errata-done-correctly-on-p7-8/4384446 #4384446"]因此，我将再次询问我们对该 Port24勘误表的实施情况。

关于该 PORT24勘误表、您是否在将这些引脚重新配置  为输出低电平之前终止了所有端口？

此致、

现金 Hao

我的编码器说是的。 (C 语言上的内容有点浅)。 我相信他正在正确地执行此操作、但注意到只有端口7/8电阻器在他的端口24实施中被终止。 (我认为)。  

/*启用端口7和8引脚的拉电阻器以节省功耗*/
uint16_t * pu16_p78rn_reg =(uint16_t *) 0x0266；
* pu16_p78rn_reg = 0x07FF；

其余端口在上述代码之前进行设置、如图所示。 因此、它们会被终止。  

/*端口1的所有未使用引脚均为0V 数字输出引脚，启用拉电阻以节省功耗*/
U8_unused_Pins = BIT0 | BIT2 | BIT4 | BIT4 | BIT6；
SET_BITS (P1REN、u8_unused_pins)；
CLR_BITS (P1SEL、u8_unused_pins)；
SET_BITS (P1DIR、u8_unused_pins)；
CLR_BITS (P1OUT、u8_unused_pins)；

如果 Port24修复程序位于所有其它端口 设置之前，是否存在差异？  

我也很困惑为什么其他端口也在该修复中。 我的理解是只有7/8是隐藏的。 其他引脚是否只是示例、或者此封装中是否隐藏了更多引脚？  

我想这就是他减少上述代码的原因。 由于其他端口的原因、我只会进行双重检查。  

下面是显示序列的完整代码初始化。

static void v_MAIN_Init (void)
{
    uint8_t u8_unused_pins;

    /* Stop watchdog timer to prevent time out */
    WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD;

    /* Initializes system clock */
    v_MAIN_Configure_Clock ();

    /* All unused pins of port 1 are digital output pins at 0V with pull resistor enabled to save power */
    u8_unused_pins = BIT0 | BIT2 | BIT4 | BIT5 | BIT6;
    SET_BITS (P1REN, u8_unused_pins);
    CLR_BITS (P1SEL, u8_unused_pins);
    SET_BITS (P1DIR, u8_unused_pins);
    CLR_BITS (P1OUT, u8_unused_pins);

    /* All unused pins of port 2 are digital output pins at 0V with pull resistor enabled to save power */
    u8_unused_pins = BIT0 | BIT1 | BIT2 | BIT3 | BIT4 | BIT5 | BIT6;
    SET_BITS (P2REN, u8_unused_pins);
    CLR_BITS (P2SEL, u8_unused_pins);
    SET_BITS (P2DIR, u8_unused_pins);
    CLR_BITS (P2OUT, u8_unused_pins);

    /* All unused pins of port 3 are digital output pins at 0V with pull resistor enabled to save power */
    u8_unused_pins = BIT3 | BIT4 | BIT5 | BIT6 | BIT7;
    SET_BITS (P3REN, u8_unused_pins);
    CLR_BITS (P3SEL, u8_unused_pins);
    SET_BITS (P3DIR, u8_unused_pins);
    CLR_BITS (P3OUT, u8_unused_pins);

    /* All unused pins of port 4 are digital output pins at 0V with pull resistor enabled to save power */
    u8_unused_pins = BIT4 | BIT5 | BIT6 | BIT7;
    SET_BITS (P4REN, u8_unused_pins);
    CLR_BITS (P4SEL, u8_unused_pins);
    SET_BITS (P4DIR, u8_unused_pins);
    CLR_BITS (P4OUT, u8_unused_pins);

    /* All unused pins of port 5 are digital output pins at 0V with pull resistor enabled to save power */
    u8_unused_pins = BIT0 | BIT1 | BIT2 | BIT6;
    SET_BITS (P5REN, u8_unused_pins);
    CLR_BITS (P5SEL, u8_unused_pins);
    SET_BITS (P5DIR, u8_unused_pins);
    CLR_BITS (P5OUT, u8_unused_pins);

    /* All unused pins of port 6 are digital output pins at 0V with pull resistor enabled to save power */
    u8_unused_pins = BIT0 | BIT1 | BIT2 | BIT4 | BIT5 | BIT6 | BIT7;
    SET_BITS (P6REN, u8_unused_pins);
    CLR_BITS (P6SEL, u8_unused_pins);
    SET_BITS (P6DIR, u8_unused_pins);
    CLR_BITS (P6OUT, u8_unused_pins);

    /* Enable pull resistors of port 7 & 8 pins to save power */
    uint16_t * pu16_p78ren_reg = (uint16_t *)0x0266;
    *pu16_p78ren_reg = 0x07FF;

    /* All unused pins of port J are digital output pins at 0V with pull resistor enabled to save power */
    u8_unused_pins = BIT0 | BIT1 | BIT2 | BIT3 | BIT4 | BIT5 | BIT6 | BIT7;
    SET_BITS (PJREN, u8_unused_pins);
    SET_BITS (PJDIR, u8_unused_pins);
    CLR_BITS (PJOUT, u8_unused_pins);

我们还将测试 一些 简化的代码以帮助隔离。 昨天、我在晶振加热方面取得了一些进展、所以我确实认为晶振具有超灵敏且极小的焊盘、我也切换到了银/锡焊料。 引线也在应力下与我的电池触点弄乱、并会折断。  

感谢您的帮助和问题！

(我不确定是否要提问、但有一个 SYS14也讨论了 PUC 后的泄漏。 相同的代码修复、仅地址略有更改。 它非常模糊。 我试过它，没有改变。)

您好！

这似乎很有希望。 如果您有其他问题、请在此处更新。   

[引用 userid="256096" URL"~/support/microcontrollers/msp-low-power-microcontrollers-group/msp430/f/msp-low-power-microcontroller-forum/1165003/msp430f5342-current-ramps-while-sleeping-is-my-errata-done-correctly-on-p7-8/4386086 #4386086"]我们还将测试 一些 简化的代码以帮助隔离。 昨天、我在晶振加热方面取得了一些进展、所以我确实认为晶振具有超灵敏且极小的焊盘、我也切换到了银/锡焊料。 引线也在应力下与我的电池触点弄乱、并会折断。  [/报价]

此致、

现金 Hao

谢谢 、可以了。

到目前为止、我的结果好坏参半、即使 焊接效果有所改善：27uA 或120uA ish。 这远远不及之前看到的1mA 电流、表明存在强烈的相互作用。 我们将研究残余泄漏、然后我将关闭以识别您在晶体上的输入。 你很有帮助。 我只是不明白某件事是怎么会如此敏感(就像您说的那样)。

一个问题是、我的晶体与7个 UF 电容器配对、这一电容器位于全球范围的较小一侧。  其12.5uF 版本是否会对电源需求产生影响？ 考虑更多容量存储以某种方式提高能源利用率？？？

谢谢！  

此外、晶体规格的负载电容为7pF、因此我的一对7pF 电容不考虑寄生。 但它就在它旁边。  

Ya 知道、也许我没有加载匹配的 bc、其他症状包括无法稳定晶体、有时不得不使用内部。 我敢打赌这是相关的。   

您好、抱歉将其拖放到... 我们移除了晶体和电容器。 实际上不需要(最好的部分不是部分)。  

但是、我仍然无法控制泄漏。 今天、我将向我的编程人员发送一个单元、以密切关注每个端口。 但我认为，在芯片的几个版本和几个布局中，还有几个人在这里还存在一个问题。  

不确定我是否提到过这一点、但在某些器件上、我可以将手放在器件上、电流降至预期的27uA。 由于我还没有超级功率、这是否是其他情况的症状？